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1. (WO2007074734) 砥粒フリー研磨液及びCMP研磨方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/074734    国際出願番号:    PCT/JP2006/325625
国際公開日: 05.07.2007 国際出願日: 22.12.2006
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/00 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01)
出願人: HITACHI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Nishi-shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630449 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MABUCHI, Katsumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AKAHOSHI, Haruo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HABIRO, Masanobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKURADA, Takafumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NOMURA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MABUCHI, Katsumi; (JP).
AKAHOSHI, Haruo; (JP).
HABIRO, Masanobu; (JP).
SAKURADA, Takafumi; (JP).
NOMURA, Yutaka; (JP)
代理人: ASAMURA, Kiyoshi; Room 331, New Ohtemachi Bldg. 2-1, Ohtemachi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
優先権情報:
2005-371858 26.12.2005 JP
発明の名称: (EN) ABRASIVE GRAIN-FREE POLISHING LIQUID AND CMP POLISHING METHOD
(FR) LIQUIDE DE POLISSAGE NE CONTENANT PAS DE GRAINS ABRASIFS ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE CMP
(JA) 砥粒フリー研磨液及びCMP研磨方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a CMP polishing liquid which is mixed with an oxidizing agent when used for polishing. This CMP polishing liquid contains a copper antirust agent, a water-soluble polymer, a pH-adjusting agent and water, and does not substantially contain abrasive grains. By using such a CMP polishing liquid, dishing in chemical polishing of copper can be effectively suppressed, thereby forming a wiring with high reliability. It is preferable that the contents of the antirust agent, water-soluble polymer and oxidizing agent are respectively 0.1-5% by weight, 0.05-5% by weight and 0.01-5M per 1 liter of the CMP polishing liquid, and the pH-adjusting agent is contained in such an amount necessary for adjusting the pH of the CMP liquid to 1.5-2.5.
(FR)La présente invention concerne un liquide de polissage CMP qui est mélangé avec un agent oxydant lorsqu'il est utilisé pour polir. Ce liquide de polissage CMP contient un agent antirouille au cuivre, un polymère soluble dans l’eau, un agent d’ajustement de pH et de l’eau, et ne contient sensiblement aucun grain abrasif. Grâce à l’utilisation d’un tel liquide de polissage CMP, la déformation pendant le polissage chimique du cuivre peut être supprimée efficacement, ceci permettant de former un circuit à haute fiabilité. Il est préférable que les teneurs en agent antirouille, en polymère soluble dans l’eau et en agent oxydant soient respectivement de 0,1-5% en poids, de 0,05-5% en poids et de 0,01-5M pour 1 litre du liquide de polissage CMP, et que l'agent d’ajustement de pH soit contenu dans une quantité suffisante pour ajuster le pH du liquide CMP à 1,5-2,5.
(JA) 研磨に際して酸化剤と混合して用いられるCMP研磨液であって、銅防錆剤、水溶性高分子、pH調整剤及び水を含み、砥粒を実質的に含まないCMP研磨液によれば、銅の化学研磨におけるディッシングが効果的に抑制され、信頼性の高い配線が形成される。前記防錆剤、水溶性高分子及び酸化剤の含有量が、前記CMP研磨液1リットル当り、0.1~5重量%、0.05~5重量%及び0.01~5Mであり、前記pH調整剤の量は、前記CMP研磨液のpHを1.5~2.5に調整するために必要な量である組成が好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)