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1. (WO2007074635) 半導体セラミック、及び積層型半導体セラミックコンデンサ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/074635    国際出願番号:    PCT/JP2006/324732
国際公開日: 05.07.2007 国際出願日: 12.12.2006
IPC:
C04B 35/46 (2006.01), H01G 4/12 (2006.01)
出願人: Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAWAMOTO, Mitsutoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANI, Shinsuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAWAMOTO, Mitsutoshi; (JP).
TANI, Shinsuke; (JP)
代理人: KUNIHIRO, Yasutoshi; 10F, Katokichi shinosaka Bldg. 14-10, Nishinakajima 5-chome Yodogawaku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2005-377538 28.12.2005 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR CERAMIC AND STACKED SEMICONDUCTOR CERAMIC CAPACITOR
(FR) CÉRAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE ET CONDENSATEUR À CÉRAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE EMPILÉE
(JA) 半導体セラミック、及び積層型半導体セラミックコンデンサ
要約: front page image
(EN)This invention provides a semiconductor ceramic in which the mixing molar ratio m between Sr site and Ti site is brought to 1.000 ≤ m < 1.020, a donor element such as La having a larger valency than the Sr element is dissolved in amount of 0.8 to 2.0 moles based on 100 moles of the Ti element in an Sr site to form a solid solution, a transition metal element such as Mn is contained in an amount of 0.3 to 1.0 moles based on 100 moles of the Ti element to cause segregation in the grain boundary, whereby the average grain diameter of the crystal grains is brought to not more than 1.0 μm. A component element assembly (1) comprising semiconductor ceramic layers (1a) to (1g) stacked on top of one another is formed of the semiconductor ceramic, and an internal electrode (2) is buried in the component element assembly (1). The above constitution can provide an SrTiO3-type grain boundary insulation-type semiconductor ceramic, which has a large apparent specific permittivity of not less than 5000 even when the average diameter of crystal grains is reduced to not more than 1 μm, and a semiconductor ceramic capacitor using the SrTiO3-type grain boundary insulation-type semiconductor ceramic, which can simultaneously realize a further reduced layer thickness and improved dielectric properties.
(FR)La présente invention porte sur une céramique semi-conductrice dans laquelle le rapport molaire de mélange m entre le site Sr et le site Ti est porté à 1,000 ≤ m < 1,020, un élément donneur comme La possédant une valence supérieure à l’élément Sr est dissout dans une quantité de 0,8 à 2,0 moles sur la base de 100 moles de l’élément Ti dans un site Sr pour constituer une solution solide, un élément de métal de transition comme Mn est contenu dans une quantité de 0, 3 à 1,0 mole sur la base de 100 moles de l’élément Ti pour provoquer une ségrégation dans la limite de grains, où le diamètre de grain moyen des grains de cristal ne va pas dépasser 1,0 µm. Un ensemble élément de composant (1) comprenant des couches de céramique semi-conductrice (1a) à (1g) empilées les unes au-dessus des autres est formé de la céramique semi-conductrice, et une électrode interne (2) est enfouie dans l’ensemble élément de composant (1). La constitution ci-dessus peut fournir une céramique semi-conductrice de type isolation à limite de grains de type SrTiO3, ayant une grande permittivité spécifique apparente supérieure ou égale à 5000 même lorsque le diamètre moyen de grains de cristal est réduit à une valeur ne dépassant pas 1 µm, et un condensateur à céramique semi-conductrice utilisant la céramique semi-conductrice de type isolation à limite de grains de type SrTiO3, capable à la fois de réduire l’épaisseur de couche et d’améliorer les propriétés diélectriques.
(JA) 本発明の半導体セラミックは、SrサイトとTiサイトとの配合モル比mを1.000≦m<1.020とし、Sr元素よりも価数の大きなLa等のドナー元素をTi元素100モルに対し0.8~2.0モルの範囲でSrサイトに固溶させ、Mn等の遷移金属元素をTi元素100モルに対し0.3~1.0モルの範囲で含有させて結晶粒界に偏析させ、結晶粒子の平均粒径を1.0μm以下とする。そして、半導体セラミック層1a~1gが積層されてなる部品素体1をこの半導体セラミックで構成し、部品素体1に内部電極2を埋設させる。これにより結晶粒子の平均粒径を1μm以下に微粒化しても5000以上の大きな見掛け比誘電率を有するSrTiO系粒界絶縁型の半導体セラミック、及びこれを用いることにより薄層化の促進と誘電特性の向上の両立が可能な半導体セラミックコンデンサを提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)