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1. (WO2007060745) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/060745    国際出願番号:    PCT/JP2005/021810
国際公開日: 31.05.2007 国際出願日: 28.11.2005
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAGAI, Kouichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAIGOH, Kaoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAGAI, Kouichi; (JP).
SAIGOH, Kaoru; (JP)
代理人: KITANO, Yoshihito; Exceed Yotsuya 2nd Floor 9 Daikyo-cho Shinjuku-ku, Tokyo 1600015 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor device comprising a capacitor (36) formed on a semiconductor substrate (10) and having a lower electrode (30), a dielectric film (32) formed on the lower electrode (30) and an upper electrode (34) formed on the dielectric film (32); an insulating film (68) formed on the semiconductor substrate (10) and the capacitor (36); and an electrode pad (74b) formed on the insulating film (68) and having an aluminum-magnesium alloy film (100). Since the electrode pad has an aluminum-magnesium alloy film, damages to the electrode or strong impacts to the insulating film pad can be prevented. Consequently, hydrogen or moisture is prevented from reaching the dielectric film of the capacitor through the electrode pad, the insulating film and the like, thereby preventing a metal oxide in the dielectric film from being reduced by hydrogen.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur comprenant un condensateur (36) disposé sur un substrat semi-conducteur (10) et comportant une électrode inférieure (30), une pellicule diélectrique (32) disposée sur l'électrode inférieure (30) et une électrode supérieure (34) disposée sur la pellicule diélectrique (32) ; une pellicule isolante (68) disposée sur le substrat semi-conducteur (10) et le condensateur (36) ; et une pastille d’électrode (74b) disposée sur la couche isolante (68) et comportant une pellicule d’alliage aluminium-magnésium (100). Puisque la pastille d’électrode comporte une pellicule d’alliage aluminium-magnésium, les dégâts causés à l’électrode ou les chocs importants sur la pastille de pellicule isolante peuvent être évités. Par conséquent, l’hydrogène ou l’humidité ne peuvent pas atteindre la pellicule diélectrique du condensateur à travers la pastille d'électrode, la pellicule isolante et similaire, ce qui empêche un oxyde métallique de la pellicule diélectrique d'être réduit par l'hydrogène.
(JA) 半導体基板10上に形成され、下部電極30と;下部電極30上に形成された誘電体膜32と;誘電体膜32上に形成された上部電極34とを有するキャパシタ36と、半導体基板10上及びキャパシタ36上に形成された絶縁膜68と、絶縁膜68上に形成され、アルミニウムとマグネシウムとの合金膜100を有する電極パッド74bとを有している。電極パッドがアルミニウムとマグネシウムとの合金膜を有しているため、電極パッドの破損を防止することができ、また、絶縁膜に強い衝撃が加わるのを防止することができる。このため、水素や水分が電極パッド及び絶縁膜等を介してキャパシタの誘電体膜に達するのを防止することができ、誘電体膜を構成する金属酸化物が水素により還元されるのを防止することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)