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1. (WO2007055309) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/055309    国際出願番号:    PCT/JP2006/322442
国際公開日: 18.05.2007 国際出願日: 10.11.2006
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MARUYAMA, Ryuta [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MARUYAMA, Ryuta; (JP)
代理人: INAOKA, Kosaku; c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS, Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor 6-12 Minamihommachi 2-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka5410054 (JP)
優先権情報:
2005-327696 11.11.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device wherein a semiconductor device having a metal wiring is produced by etching a metal layer including a lower layer composed of a first metal material and an upper layer composed of a second metal material which is different from the first metal material. In this method, etching is performed under such conditions that the etching rate of the upper layer is higher than the etching rate of the lower layer, thereby selectively etching the upper layer. The etching is stopped in response to exposure of the lower layer. Then, overetching of the upper layer is performed under such conditions that the etching rate of the upper layer and that of the lower layer are substantially equal to each other. After that, the lower layer is selectively etched.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur selon lequel un dispositif à semi-conducteur comportant un circuit métallique est produit par gravure d'une couche métallique comprenant une couche inférieure composée d'un premier matériau métallique et une couche supérieure composée d'un second matériau métallique qui est différent du premier matériau métallique. Dans ce procédé, la gravure est effectuée dans des conditions telles que le taux de gravure de la couche supérieure est supérieur au taux de gravure de la couche inférieure, la gravure étant ainsi réalisée sélectivement sur la couche supérieure. La gravure est arrêtée en réponse à la mise à nu de la couche inférieure. Ensuite, une surgravure de la couche supérieure est effectuée dans des conditions telles que le taux de gravure de la couche supérieure et celui de la couche inférieure sont sensiblement égaux. Après cela, la couche inférieure est gravée sélectivement.
(JA) 本発明の半導体装置の製造方法は、第1金属材料からなる下層および前記第1金属材料とは異なる第2金属材料からなる上層を含む金属層をエッチングして、金属配線を有する半導体装置を製造する方法である。この製造方法では、前記上層のエッチングレートが前記下層のエッチングレートよりも高くなるような条件で前記上層が選択的にエッチングされる。このエッチングは、前記下層が露出したことに応答して終了される。その後、前記上層のエッチングレートと前記下層のエッチングレートとがほぼ一致するような条件で前記上層のオーバエッチングが行われる。そして、前記下層が選択的にエッチングされる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)