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1. (WO2007055031) CVD装置を用いる成膜方法およびマスキングのためのマスク
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/055031    国際出願番号:    PCT/JP2005/020867
国際公開日: 18.05.2007 国際出願日: 14.11.2005
IPC:
C23C 16/44 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01), H01J 11/02 (2006.01)
出願人: FUJITSU HITACHI PLASMA DISPLAY LIMITED [JP/JP]; 1815 Tajiri, Kunitomi-cho, Higashimorokata-gun, Miyazaki 8801194 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NANTO, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HARADA, Hideki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WATABE, Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NANTO, Toshiyuki; (JP).
HARADA, Hideki; (JP).
WATABE, Masahiro; (JP)
代理人: KUBO, Yukio; Oriental Shin-Osaka Bldg., 1-26, Nishinakajima 7-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD OF FORMING FILM WITH USE OF CVD APPARATUS AND MASK FOR MASKING
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM AU MOYEN D'UN APPAREIL CVD ET D'UN MASQUE
(JA) CVD装置を用いる成膜方法およびマスキングのためのマスク
要約: front page image
(EN)A method of forming a film, comprising partially masking a surface of substance (111) and carrying out a film formation at exposed area (S1) of the surface with the use of CVD apparatus (300), wherein as a member for masking, use is made of mask (71,71b,77) furnished with uneven surface region (715,716,775) with partial surface area larger than that of other region on the side toward gas space. The increase of material concentration at mask edges is minimized by virtue of appropriate consumption of raw gas at the uneven surface region, reducing any local increase of film thickness in the vicinity of the mask.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un film consistant à masquer partiellement une surface d'une substance (111) et à réaliser une formation de film au niveau d'une zone exposée (S1) de la surface au moyen d'un appareil CVD (300), un masque (71, 71b, 77) pourvu d'une région superficielle irrégulière (715, 716, 775) avec une zone superficielle partielle plus large que celle d'une autre région sur l'espace de gaz latéral étant utilisé en tant qu'élément de masque. L'augmentation de la concentration de matière au niveau des bords du masque est minimisée en raison d'une consommation appropriée de gaz brut au niveau de la région superficielle irrégulière, ce qui permet de diminuer toute augmentation locale d'épaisseur de film dans le voisinage du masque.
(JA) 成膜方法は、物体(111)の表面を部分的にマスキングし、表面の露出部分(S1)にCVD装置(300)によって膜を形成する成膜方法であって、マスキングのための部材として、ガス空間に向く側に部分的に表面積が他の領域よりも大きい凹凸面領域(715,716,775)が設けられたマスク(71,71b, 77)を用いる。マスク端縁での材料濃度の上昇が凹凸面領域で原料ガスが適度に消費されることによって減少し、マスク近傍での局部的な膜厚増大が軽減される。                                                                                 
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)