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1. (WO2007055010) 半導体装置の製造方法および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/055010    国際出願番号:    PCT/JP2005/020615
国際公開日: 18.05.2007 国際出願日: 10.11.2005
IPC:
H01L 21/301 (2006.01), B23K 26/36 (2006.01)
出願人: RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 4-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006334 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ABE, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIGASHINO, Tomoko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYAZAKI, Chuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ABE, Yoshiyuki; (JP).
HIGASHINO, Tomoko; (JP).
MIYAZAKI, Chuichi; (JP)
代理人: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 6th Floor Kokusai Chusei Kaikan 14, Gobancho Chiyoda-ku, Tokyo 102-0076 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法および半導体装置
要約: front page image
(EN)In the case of dividing a semiconductor wafer (1W) by stealth dicing, a pad (1LBt) for testing a cutting region (CR) and an alignment target (Am) are arranged on one side in a width direction in the cutting region (CR), and a laser beam for forming a modified region (PR) is applied to a position separated in plane from the pad (1LBt) and the alignment target (Am). Thus, cutting shape failure can be reduced or eliminated in the semiconductor wafer cutting process using stealth dicing.
(FR)Dans la présente invention, lors de la division d'une plaquette de semi-conducteur (1W) par découpage discret en dés, une pastille (1LBt) servant à tester une zone de découpage (CR) et une cible d'alignement (Am) sont disposées sur une face dans le sens de la largeur de la zone de découpage (CR), et un faisceau laser servant à créer une zone modifiée (PR) est appliqué à une position séparée, dans le plan, de la pastille (1LBt) et de la cible d'alignement (Am). Cela permet de réduire ou d'éliminer les défauts de forme de découpage dans le processus de découpage de la plaquette de semi-conducteur au moyen du découpage discret en dés.
(JA) ステルスダイシングにより半導体ウエハ1Wを分割する場合において、切断領域CRのテスト用のパッド1LBtやアライメントターゲットAmを切断領域CRの幅方向の片側に寄せて配置し、改質領域PRを形成するためのレーザ光をテスト用のパッド1LBtやアライメントターゲットAmから平面的に離れた位置に照射する。これにより、ステルスダイシングを用いた半導体ウエハの切断処理において切断形状不良を低減または防止することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)