WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2007052711) プラズマ処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/052711    国際出願番号:    PCT/JP2006/321890
国際公開日: 10.05.2007 国際出願日: 01.11.2006
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HIROSHIMA, Mitsuru; (米国のみ).
ASAKURA, Hiromi; (米国のみ).
WATANABE, Syouzou; (米国のみ).
OKUNE, Mitsuhiro; (米国のみ).
SUZUKI, Hiroyuki; (米国のみ).
HOUTIN, Ryuuzou; (米国のみ)
発明者: HIROSHIMA, Mitsuru; .
ASAKURA, Hiromi; .
WATANABE, Syouzou; .
OKUNE, Mitsuhiro; .
SUZUKI, Hiroyuki; .
HOUTIN, Ryuuzou;
代理人: TANAKA, Mitsuo; AOYAMA & PARTNERS, IMP Building, 3-7, Shiromi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2005-319575 02.11.2005 JP
2005-329756 15.11.2005 JP
2006-275409 06.10.2006 JP
2006-294334 30.10.2006 JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING APPARATUS
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
要約: front page image
(EN)A plasma processing apparatus is provided with a beam-like spacer (7) arranged on an upper opening of a chamber (3) which faces a substrate (2). The beam-like spacer (7) is provided with an annular outer circumference portion (7a) supported by the chamber (3) on its lower plane (7d), a center portion (7b) positioned at the center of a region surrounded by the outer circumference portion (7a) in plane view, and a plurality of beam portions (7c) radially extending from the center portion (7b) to the outer circumference portion (7a). The entire dielectric plate (8) is uniformly supported by the beam-like spacer (7). The dielectric plate (8) is thinned, while ensuring mechanical strength for holding atmospheric pressure when inside the chamber (3) is depressurized.
(FR)Le dispositif de traitement plasma selon l’invention comporte une entretoise (7) en forme de faisceau disposée sur une ouverture supérieure d’une chambre (3) qui fait face à un substrat (2). L’entretoise (7) en forme de faisceau comporte une partie de circonférence externe annulaire (7a) supportée par la chambre (3) sur son plan inférieur (7d), une partie centrale (7b) positionnée au centre d’une zone entourée par la partie de circonférence externe (7a) en vue de dessus, et une pluralité de parties en faisceaux (7c) s’étendant radialement depuis la partie centrale (7b) vers la partie de circonférence externe (7a). La totalité de la plaque diélectrique (8) est supportée uniformément par l’entretoise (7) en forme de faisceau. La plaque diélectrique (8) est amincie, tout en assurant sa résistance mécanique pour supporter la pression atmosphérique lorsque l'intérieur de la chambre (3) est dépressurisé.
(JA) プラズマ処理装置は、基板2と対向するチャンバ3の上部開口に配置された梁状スペーサ7を備える。梁状スペーサ7は、チャンバ3によってその下面7dが支持される環状の外周部7aと、平面視で外周部7aによって囲まれた領域の中央に位置する中央部7bと、中央部7bから外周部7aまで放射状に延びる複数の梁部7cとを備える。誘電体板8は梁状スペーサ7によってその全体が均一に支持される。チャンバ3内を減圧した際に大気圧を支持するための機械的強度を確保しつつ、誘電体板8を薄型化できる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)