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1. (WO2007049384) 太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/049384    国際出願番号:    PCT/JP2006/313261
国際公開日: 03.05.2007 国際出願日: 04.07.2006
IPC:
H01L 31/072 (2006.01)
出願人: HONDA MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Minami-Aoyama 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1078556 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YONEZAWA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YONEZAWA, Satoshi; (JP)
代理人: KOYAMA, Yuu; 4th Floor, Furuya Bldg. 3-29, Kioicho, Chiyoda-ku Tokyo 1020094 (JP)
優先権情報:
2005-313389 27.10.2005 JP
発明の名称: (EN) SOLAR BATTERY
(FR) PILE SOLAIRE
(JA) 太陽電池
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To obtain a flexible solar battery having a high photoelectric conversion efficiency and no aging. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A cell (10) (unit cell) comprises a lower electrode layer (2) (Mo electrode layer) formed on a flexible reconstituted mica substrate (1), a light absorption layer (3) (CIGS light absorption layer) containing copper, indium, gallium, and selenium, a buffer layer thin film (4) having a high resistance and formed of, for example, InS, ZnS, or CdS on the light absorption layer (3), and an upper electrode layer (5) (TCO) formed of, for example, ZnOAl. In order to connect a plurality of the unit cells (10) in series, a contact electrode portion (6) for connecting the upper electrode layer (5) and the lower electrode layer (2) is also formed. The contact electrode portion (6) has a larger Cu/In ratio than that of the light absorption layer (3). In other words, the contact electrode portion (6) is formed with a smaller amount of In and has a p+ type or conductor property with respect to the light absorption layer (3) that is a p-type semiconductor.
(FR)La présente invention concerne une pile solaire flexible présentant une efficacité de conversion photoélectrique élevée et aucun vieillissement. Une cellule (10) (cellule unitaire) comprend une couche d’électrode inférieure (2) (couche d’électrode au Mo) disposée sur un substrat flexible (1) en mica reconstitué, une couche d’absorption de lumière (3) (couche d’absorption de lumière au CIGS) contenant du cuivre, de l’indium, du gallium et du sélénium, une pellicule mince (4) de couche tampon présentant une résistance élevée et constituée, par exemple, d’InS, de ZnS, ou de CdS sur la couche d'absorption de lumière (3), et une couche d’électrode supérieure (5) (TCO) constituée par exemple, de ZnOAl. Afin de connecter une pluralité de cellules unitaires (10) en série, on forme une portion d’électrode de contact (6) servant à connecter la couche d’électrode supérieure (5) et la couche d’électrode inférieure (2). La portion d’électrode de contact (6) présente une proportion Cu/In supérieure à celle de la couche d’absorption de lumière (3). En d’autres termes, la portion d'électrode de contact (6) est constituée d'une quantité moindre d'In et présente une propriété de type p+ ou conductrice par rapport à la couche d'absorption de lumière (3) qui est un semi-conducteur de type p.
(JA)【課題】   高い光電変換効率を有すると共に経年変化がなくしかもフレキシブルな太陽電池を実現する。 【解決手段】 可撓性の集成マイカ基板1(サブストレート)上に形成された下部電極層2(Mo電極層)と、銅・インジウム・ガリウム・セレンを含む光吸収層3(CIGS光吸収層)と、光吸収層3の上に、InS、ZnS、CdS等で形成される高抵抗のバッファ層薄膜4と、ZnOAl等で形成される上部電極層5(TCO)とから1つの単位となるセル10(単位セル)が形成され、さらに、複数の単位セル10を直列接続する目的で、上部電極層5と下部電極層2とを接続するコンタクト電極部6が形成される。このコンタクト電極部6は、光吸収層3のCu/In比率よりも、Cu/In比率が大きく、言い換えると、Inが少なく構成されており、p型半導体である光吸収層3に対してp+(プラス)型もしくは導電体の特性を示している。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)