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1. (WO2007034831) 積層型正特性サーミスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/034831    国際出願番号:    PCT/JP2006/318631
国際公開日: 29.03.2007 国際出願日: 20.09.2006
IPC:
H01C 7/02 (2006.01)
出願人: Murata Manufacturing Co., Ltd. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIHARA, Kenjiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KISHIMOTO, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NIIMI, Hideaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MIHARA, Kenjiro; (JP).
KISHIMOTO, Atsushi; (JP).
NIIMI, Hideaki; (JP)
代理人: KUNIHIRO, Yasutoshi; 10F, Katokichi shinosaka Bldg. 14-10, Nishinakajima 5-chome Yodogawaku Osaka-shi Osaka5320011 (JP)
優先権情報:
2005-272485 20.09.2005 JP
発明の名称: (EN) STACKED POSITIVE COEFFICIENT THERMISTOR
(FR) THERMISTOR SUPERPOSÉ À COEFFICIENT POSITIF
(JA) 積層型正特性サーミスタ
要約: front page image
(EN)This invention provides a stacked positive coefficient thermistor comprising a semiconductor ceramic layer composed mainly of a BaTiO3-based ceramic material. The ratio between Ba site and Ti site is 0.998 to 1.006. At least one element selected from La, Ce, Pr, Nd and Pm is contained as a semiconducting agent. This stacked positive coefficient thermistor satisfies d ≥ 0.6 μm and d/D < 0.2 wherein d represents the thickness of an internal electrode layer and D represents the thickness of the semiconductor ceramic layer. The above constitution can realize a stacked positive coefficient thermistor having a small percentage change in room-temperature resistance value with the elapse of time without the necessity of using any troublesome method such as heat treatment even in the case of a semiconductor ceramic layer in which the sintered density is low, that is, the measured sintered density is 65% to 90% of the theoretical sintered density. When the content of the semiconducting agent is 0.1 to 0.5 part by mole based on 100 parts by mole of Ti, low-temperature baking at 1150ºC is possible and low room-temperature resistance value and satisfactorily large percentage change in resistance can be realized.
(FR)La présente invention concerne un thermistor superposé à coefficient positif comprenant une couche céramique semi-conductrice composée principalement d’un matériau céramique à base de BaTiO3. Le rapport entre le site Ba et le site Ti est de 0,998 à 1,006. Au moins un élément sélectionné parmi La, Ce, Pr, Nd et Pm est contenu comme agent semi-conducteur. Ce thermistor superposé à coefficient positif satisfait aux relations d ≥ 0,6 μm et d/D < 0,2 où d représente l’épaisseur d’une couche d’électrode interne et D représente l’épaisseur de la couche céramique semi-conductrice. La constitution ci-dessus permet de réaliser un thermistor superposé à coefficient positif ayant un faible changement de pourcentage en valeur de résistance à la température ambiante avec le temps sans la nécessité de recourir à un procédé fastidieux comme un traitement thermique même avec une couche céramique semi-conductrice dans laquelle la densité frittée est faible, plus précisément, la densité frittée mesurée est comprise entre 65% et 90% de la densité frittée théorique. Lorsque la teneur de l’agent semi-conducteur est de 0,1 à 0,5 partie en mole sur la base de 100 parties en moles de Ti, une cuisson à basse température est possible à 1150°C et l’on peut obtenir une faible valeur de résistance à la température ambiante et un changement en pourcentage suffisamment important en matière de résistance.
(JA) 本発明の積層型正特性サーミスタは、半導体セラミック層が、BaTiO系セラミック材料を主成分とし、BaサイトとTiサイトの比が0.998~1.006であり、かつ、半導体化剤としてLa、Ce、Pr、Nd、及びPmの中から選択された少なくとも一種の元素が含有されている。この積層型正特性サーミスタは、内部電極層の厚みd及び半導体セラミック層の厚みをDが、d≧0.6μm、かつd/D<0.2を満足している。これにより実測焼結密度が理論焼結密度の65%~90%という焼結密度の低い半導体セラミック層の場合であっても、熱処理等の煩雑な方法を伴わずに、室温抵抗値の経時変化率が小さい積層型正特性サーミスタを実現する。半導体化剤の含有量が、Ti100モル部に対し0.1~0.5モル部の場合は、1150°Cという低温焼成が可能となり、低い室温抵抗値と十分に大きな抵抗変化率を得ることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)