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1. (WO2007034791) 半田層及びこれを用いた放熱基板並びにその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/034791    国際出願番号:    PCT/JP2006/318531
国際公開日: 29.03.2007 国際出願日: 19.09.2006
IPC:
H01L 21/52 (2006.01), H01L 23/373 (2006.01), B23K 35/30 (2006.01), C22C 5/02 (2006.01)
出願人: DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1010021 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKANO, Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OSHIKA, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKANO, Masayuki; (JP).
OSHIKA, Yoshikazu; (JP)
代理人: HIRAYAMA, Kazuyuki; 6th Floor, Shinjukugyoen Bldg. 2-3-10, Shinjuku Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
優先権情報:
2005-278958 26.09.2005 JP
発明の名称: (EN) SOLDER LAYER, HEAT SINK USING SUCH SOLDER LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH HEAT SINK
(FR) COUCHE DE BRASURE, DISSIPATEUR THERMIQUE UTILISANT UNE TELLE COUCHE DE BRASURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL DISSIPATEUR THERMIQUE
(JA) 半田層及びこれを用いた放熱基板並びにその製造方法
要約: front page image
(EN)A heat sink (10) is provided with a substrate (1), an electrode layer (2) formed on the substrate (1), and a solder layer (3) formed on the substrate (1). The solder layer (3) has a bonding strength of 30MPa or more and a shear strain of 0.07 or more. The heat sink may be a submount, and may be provided with the submount substrate (1), the electrode layer (2) formed on the substrate, and the solder layer (3), and the solder layer (3) may be embedded in a window section (2A) of the electrode layer, and an outer circumference section of the solder layer (3) may be connected with the electrode layer (2). The solder layer (3) can be bonded with the semiconductor device at a high bonding strength, and the low cost submount is provided.
(FR)Le dissipateur thermique (10) selon l'invention comporte un substrat (1), une couche d’électrode (2) disposée sur le substrat (1), et une couche de brasure (3) disposée sur le substrat (1). La couche de brasure (3) présente une force de cohésion supérieure ou égale à 30 MPa et une déformation de cisaillement supérieure ou égale à 0,07. Le dissipateur thermique peut être un sous-montage, et peut comporter un substrat de sous-montage (1), une couche d'électrode (2) disposée sur le substrat et une couche de brasure (3), et la couche de brasure (3) peut être incorporée dans une section de fenêtre (2A) de la couche d’électrode, et une section de circonférence externe de la couche de brasure (3) peut être connectée avec la couche d’électrode (2). La couche de brasure (3) peut être fixée au dispositif semi-conducteur avec une force de cohésion élevée, ce qui permet d’obtenir un sous-montage économique.
(JA) 放熱基板(10)は、基板(1)と、基板(1)上に形成される電極層(2)と、基板(1)上に形成される半田層(3)と、を備え、半田層(3)の接合強度が30MPa以上であり、かつ、せん断歪が0.07以上である。放熱基板はサブマウントであってもよく、サブマウント基板(1)と、基板上に形成される電極層(2)と、この基板上に形成される半田層(3)と、を備え、半田層(3)が電極層の窓部(2A)に埋め込まれ、かつ、半田層(3)の外周部と電極層(2)とが接続されてもよい。半田層(3)と半導体装置とを高い接合強度で接合することができ、低コストなサブマウントが提供される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)