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1. (WO2007034614) 裏面接合型太陽電池の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/034614    国際出願番号:    PCT/JP2006/314261
国際公開日: 29.03.2007 国際出願日: 19.07.2006
IPC:
H01L 31/068 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUNAKOSHI, Yasushi; (米国のみ)
発明者: FUNAKOSHI, Yasushi;
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2005-275927 22.09.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF MANUFACTURING BACK JUNCTION SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE CELLULE SOLAIRE À JONCTION ARRIÈRE
(JA) 裏面接合型太陽電池の製造方法
要約: front page image
(EN)A method of manufacturing a back junction solar cell comprises the steps of forming a first diffusion mask (9) on the back of a silicon substrate (1), printing a first etching paste (3a, 4a) on a part of the surface of the first diffusion mask (9), removing the portion of the first diffusion mask (9) where the first etching paste (3a, 4a) is printed by performing a first heating of the silicon substrate (1) to expose a part of the back of the silicon substrate (1), forming a first-conductivity-type impurity diffusion layer (6) on the exposed portion of the silicon substrate (1) by diffusing a first-conductivity-type impurity, removing the first diffusion mask (9), forming a second diffusion mask (9) on the back of the silicon substrate (1), printing a second etching paste (3b, 4b) on a part of the surface of the second diffusion mask (9), removing the portion of the second diffusion mask (9) where the second etching paste (3b, 4b) is printed by performing a second heating of the silicon substrate (1) to expose a part of the back of the silicon substrate (1), forming a second-conductivity-type impurity diffusion layer (5) on the exposed portion of the silicon substrate (1) by diffusing a second-conductivity-type impurity, and removing the second diffusion mask (9).
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d’une cellule solaire à jonction arrière comprenant les étapes de formation d’un premier masque de diffusion (9) au dos d’un substrat de silicium (1), d’impression d’une première pâte d’attaque (3a, 4a) sur une partie de la surface du premier masque de diffusion (9), d’enlèvement de la portion du premier masque de diffusion (9) où la première pâte d’attaque (3a, 4a) est imprimée grâce à un premier chauffage du substrat de silicium (1) pour exposer une partie du dos du substrat de silicium (1), de formation d’une couche de diffusion d’impuretés d’un premier type de conductivité (6) sur la portion exposée du substrat de silicium (1) grâce à la diffusion d’une impureté d’un premier type de conductivité, d’enlèvement du premier masque de diffusion (9), de formation d’un second masque de diffusion (9) au dos du substrat de silicium (1), d’impression d’une seconde pâte d’attaque (3b, 4b) sur une partie de la surface du second masque de diffusion (9), d’enlèvement de la portion du second masque de diffusion (9) où la seconde pâte d’attaque (3b, 4b) est imprimée grâce à un second chauffage du substrat de silicium (1) pour exposer une partie du dos du substrat de silicium (1), de formation d’une couche de diffusion d’impuretés d’un second type de conductivité (5) sur la portion exposée du substrat de silicium (1) grâce à la diffusion d’une impureté d’un second type de conductivité, et d’enlèvement du second masque de diffusion (9).
(JA) シリコン基板(1)の裏面に第1拡散マスク(9)を形成する工程と、第1エッチングペースト(3a,4a)を第1拡散マスク(9)の表面の一部に印刷する工程と、シリコン基板(1)を第1加熱処理することにより第1拡散マスク(9)のうち第1エッチングペースト(3a,4a)が印刷された部分を除去してシリコン基板(1)の裏面の一部を露出させる工程と、第1導電型不純物を拡散することによりシリコン基板(1)の露出した裏面に第1導電型不純物拡散層(6)を形成する工程と、第1拡散マスク(9)を除去する工程と、シリコン基板(1)の裏面に第2拡散マスク(9)を形成する工程と、第2エッチングペースト(3b,4b)を第2拡散マスク(9)の表面の一部に印刷する工程と、シリコン基板(1)を第2加熱処理することにより第2拡散マスク(9)のうち第2エッチングペースト(3b,4b)が印刷された部分を除去してシリコン基板(1)の裏面の一部を露出させる工程と、第2導電型不純物を拡散することによりシリコン基板(1)の露出した裏面に第2導電型不純物拡散層(5)を形成する工程と、第2拡散マスク(9)を除去する工程と、を含む、裏面接合型太陽電池の製造方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)