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1. (WO2007034542) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/034542    国際出願番号:    PCT/JP2005/017352
国際公開日: 29.03.2007 国際出願日: 21.09.2005
IPC:
G11C 13/00 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01)
出願人: RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 4-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006334 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OSADA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KITAI, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWAHARA, Takayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YANAGISAWA, Kazumasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OSADA, Kenichi; (JP).
KITAI, Naoki; (JP).
KAWAHARA, Takayuki; (JP).
YANAGISAWA, Kazumasa; (JP)
代理人: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 6th Floor Kokusai Chusei Kaikan 14, Gobancho Chiyoda-ku, Tokyo 1020076 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)At the time of a setting action (SET) to set a phase changing element into a crystal state, for example, a pulse at a voltage (Vreset) necessary for melting the element is applied at first to the phase changing element, and a pulse at a voltage (Vset) lower than the voltage (Vreset) and necessary for crystallizing the element is then applied. The magnitude of the voltage (Vset) is so changed in dependence upon the temperature of the atmosphere that the magnitude of the voltage (Vset) may become the smaller for the higher temperature (TH). This improves a writing action margin between the setting action and a resetting action (RESET) for bringing the element into an amorphous state.
(FR)Au moment d'une action de réglage (SET) pour régler un élément à changement de phase dans un état cristallin, par exemple une impulsion à une tension (Vreset) requise pour la fusion de l'élément est appliquée d'abord à l'élément à changement de phase et une impulsion à une tension (Vset) inférieure à la tension (Vreset) et nécessaire à la cristallisation de l'élément est ensuite appliquée. La grandeur de la tension (Vset) est modifiée en fonction de la température de l'atmosphère de sorte que la grandeur de la tension (Vset) puisse devenir inférieure par rapport à la température supérieure (TH). Cela améliore un intervalle d'action d'écriture entre l'action de réglage et l'action de remise à zéro (RESET) pour placer l'élément dans un état amorphe.
(JA) 例えば、相変化素子を結晶状態にするセット動作(SET)の際に、相変化素子に対して、始めに素子を溶融するために必要な電圧Vresetのパルスを印加後、続けて、Vresetよりも低く素子を結晶化するために必要な電圧Vsetのパルスを印加する。そして、この電圧Vsetの大きさを外気の温度に依存して変化させ、高温(TH)になる程電圧Vsetの大きさが小さくなるようにする。これによって、セット動作と、素子をアモルファス状態にするリセット動作(RESET)との間の書き込み動作マージンが向上する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)