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1. (WO2007032563) 配線構造並びに半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/032563    国際出願番号:    PCT/JP2006/318799
国際公開日: 22.03.2007 国際出願日: 15.09.2006
IPC:
H01L 21/768 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01)
出願人: NEC Corporation [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ITOU, Fuminori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAYASHI, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKEUCHI, Tsuneo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ITOU, Fuminori; (JP).
HAYASHI, Yoshihiro; (JP).
TAKEUCHI, Tsuneo; (JP)
代理人: IKEDA, Noriyasu; The 3rd Mori Building, 4-10, Nishishinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2005-270355 16.09.2005 JP
2006-198752 20.07.2006 JP
発明の名称: (EN) WIRING STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHODS THEREOF
(FR) STRUCTURE DE CÂBLAGE, DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET LEURS PROCÉDÉS DE PRODUCTION
(JA) 配線構造並びに半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device which is used to form, during a multilayer interconnection forming process, a high-strength, porous modified layer having a hole diameter of up to 1 nm by forming via holes and wiring grooves in the insulating film between via layers and in the insulating film between wiring layers, and then irradiating an opening side wall with an electron beam or a ultraviolet ray.
(FR)Cette invention concerne un dispositif à semi-conducteur servant à former, au cours d’un processus de création d’une interconnexion multicouche, une couche modifiée poreuse à résistance élevée avec un diamètre de trou de 1 nm au maximum par formation de trous de liaison et de rainures de câblage dans le film isolant entre des couches de liaison et dans le film isolant entre des couches de câblage, puis irradiation d’une paroi latérale d’ouverture avec un faisceau d’électrons ou des rayons ultraviolets.
(JA)多層配線を形成するプロセスにおいて、ビア層間絶縁膜及び配線層間絶縁膜にビアホールおよび配線溝を形成した後に、開口部側壁に電子線もしくは紫外線を照射し1nm以下の空孔径を有する高強度な多孔質変質層を形成する半導体装置。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)