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1. (WO2007032379) 磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/032379    国際出願番号:    PCT/JP2006/318141
国際公開日: 22.03.2007 国際出願日: 13.09.2006
予備審査請求日:    06.07.2007    
IPC:
H01L 43/12 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
出願人: Canon ANELVA Corporation [JP/JP]; 5-1, Kurigi 2-chome, Asao-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 215-8550 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WATANABE, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KODAIRA, Yoshimitsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
DJAYAPRAWIRA, David, D. [ID/JP]; (JP) (米国のみ).
MAEHARA, Hiroki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: WATANABE, Naoki; (JP).
KODAIRA, Yoshimitsu; (JP).
DJAYAPRAWIRA, David, D.; (JP).
MAEHARA, Hiroki; (JP)
代理人: SUZUKI, Shoji; Ohtakamico-Shinjuku Bldg. 9th Fl. 10-3, Shinjuku 1-chome Shinjuku-ku, Tokyo 160-0022 (JP)
優先権情報:
2005-265257 13.09.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE DEVICE
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE FABRICATION DE DISPOSITIF MAGNETORESISTIF
(JA) 磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置
要約: front page image
(EN)Disclosed are a method and apparatus for manufacturing a magnetoresistive device which are suitable for manufacturing a high-quality magnetoresistive device by reducing damages caused during processing of a multilayer magnetic film as a component of the magnetoresistive device, thereby preventing deterioration of magnetic characteristics due to such damages. Specifically disclosed is a method for manufacturing a magnetoresistive device, which comprises a step for processing a multilayer magnetic film by performing a reactive ion etching on a substrate which is provided with the multilayer magnetic film as a component of the magnetoresistive device. This method for manufacturing a magnetoresistive device is characterized by comprising a step for irradiating the multilayer magnetic film with an ion beam after the reactive ion etching.
(FR)L'invention concerne un procédé et un appareil de fabrication d'un dispositif magnétorésistif qui permettent d'obtenir un dispositif magnétorésistif de haute qualité en réduisant les dommages causés au cours du traitement d'un film magnétorésistif multicouche, un composant du dispositif magnétorésistif, et d'empêcher ainsi la détérioration des caractéristiques magnétiques due à ces dommages. Plus spécifiquement, l'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif magnétorésistif qui consiste à traiter un film magnétique multicouche par gravure ionique réactive d'un substrat associé au film magnétique multicouche comme composant dudispositif magnétorésistif. Le procédé de fabrication d'un dispositif magnétorésistif est caractérisé en ce qu'il comporte une opération d'irradiation du film magnétique multicouche par faisceau ionique appliquée après la gravure ionique réactive.
(JA)【課題】磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜を加工する際に生じるダメージを少なくし、前記のダメージを受けたことにより磁気特性に劣化が生じることを防止でき、高品質な磁気抵抗効果素子を製造することに適した磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。 【解決手段】磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜が形成された基板に対して反応性イオンエッチングにより多層磁性膜を加工する工程を含んでいる磁気抵抗効果素子の製造方法において、反応性イオンエッチングが行われた多層磁性膜に対してイオンビーム照射する工程を含む磁気抵抗効果素子の製造方法及び装置。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)