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1. (WO2007032369) 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/032369    国際出願番号:    PCT/JP2006/318126
国際公開日: 22.03.2007 国際出願日: 13.09.2006
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/26 (2006.01), G03F 7/36 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TANAKA, Michio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHINOZUKA, Shinichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TADOKORO, Masahide [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OGATA, Kunie [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TOMITA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UEMURA, Ryoichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TANAKA, Michio; (JP).
SHINOZUKA, Shinichi; (JP).
TADOKORO, Masahide; (JP).
OGATA, Kunie; (JP).
TOMITA, Hiroshi; (JP).
UEMURA, Ryoichi; (JP)
代理人: TAKAYAMA, Hiroshi; 7th Floor, Daiichi Shinwa Building 10-8, Akasaka 2-chome Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP)
優先権情報:
2005-265191 13.09.2005 JP
2006-179725 29.06.2006 JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE-PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE-PROCESSING METHOD, SUBSTRATE-PROCESSING PROGRAM, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM RECORDED WITH SUCH PROGRAM
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROGRAMME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT LISIBLE SUR ORDINATEUR ENREGISTRÉ AVEC UN TEL PROGRAMME
(JA) 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
要約: front page image
(EN)A pattern-forming apparatus (1) comprises a test device (400) for measuring the side wall angle SWA of a resist pattern which is formed on a substrate W after a development process, and a control unit (500) for setting the treatment conditions in the first heat treatment units (71-74) or the second heat treatment units (84-89) basing on the difference between the target value of the side wall angle SWA of the resist pattern after development process and the actual value of the side wall angle SWA measured by the test device (400) so that the side wall angle SWA after development approach the target value.
(FR)Le dispositif de tracé de motif selon l’invention (1) comprend un dispositif de test (400) servant à mesurer l'angle de paroi latérale SWA d'un motif d'enduit protecteur qui est tracé sur un substrat après un processus de développement, et une unité de commande (500) servant à régler les conditions de traitement dans les premières unités de traitement thermique (71-74) ou dans les secondes unités de traitement thermique (84-89) sur la base des différences entre la valeur cible de l’angle de paroi latérale SWA d'un motif d'enduit protecteur aprés le processus de développement et la valeur réelle de l'angle de pari latérale SWA mesuré par le dispositif de test (400) de sorte que l’angle de paroi latérale SWA après le développement approche de la valeur cible.
(JA) パターン形成装置1は、現像処理後に基板Wに形成されたレジストパターンのサイドウォールアングルSWAを測定検査する検査装置400と、前記現像処理後のレジストパターンのサイドウォールアングルSWAの目標値と前記検査装置400によるサイドウォールアングルSWAの検査結果との差分に基づいて、前記現像処理後のサイドウォールアングルSWAが前記目標値に近似するように、前記第一の加熱処理71~74または前記第二の加熱処理84~89での処理条件の設定を行う制御部500とを備える。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)