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1. (WO2007032281) GaN系半導体発光素子、発光装置、画像表示装置、面状光源装置、及び、液晶表示装置組立体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/032281    国際出願番号:    PCT/JP2006/317881
国際公開日: 22.03.2007 国際出願日: 08.09.2006
IPC:
G02F 1/13357 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/20 (2010.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo (JP) (米国を除く全ての指定国).
BIWA, Goshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKUYAMA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: BIWA, Goshi; (JP).
OKUYAMA, Hiroyuki; (JP)
代理人: IWASAKI, Sachikuni; c/o Miyoshi International Patent Office, Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
優先権情報:
2005-264938 13.09.2005 JP
発明の名称: (EN) GaN-BASE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, LUMINESCENT DEVICE, IMAGE DISPLAY DEVICE, PLANAR LIGHT SOURCE DEVICE, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE ASSEMBLY
(FR) ENSEMBLE AVEC ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR À BASE DE GaN, DISPOSITIF LUMINESCENT, DISPOSITIF D'AFFICHAGE D'IMAGE, DISPOSITIF À SOURCE LUMINEUSE PLANAIRE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE À CRISTAUX LIQUIDES
(JA) GaN系半導体発光素子、発光装置、画像表示装置、面状光源装置、及び、液晶表示装置組立体
要約: front page image
(EN)This invention provides a GaN-base semiconductor light emitting element comprising (A) an n conductivity-type first GaN-base compound semiconductor layer (13), (B) an active layer (15) having a multiple quantum well structure comprising a well layer and a barrier layer for separating well layers from each other, and (C) a p conductivity-type second GaN-base compound semiconductor layer (17). The well layer in the active layer (15) is disposed so as to satisfy d1 < d2 wherein d1 represents the well layer density on the first GaN-base compound semiconductor layer side in the active layer (15) and d2 represents the well layer density on the second GaN-base compound semiconductor layer side.
(FR)Cette invention concerne un élément électroluminescent semi-conducteur à base de GaN comprenant (A) une première couche semi-conductrice de composé à base de GaN à conductivité de type n (13), (B) une couche active (15) ayant une structure à puits quantiques multiples comprenant une couche à puits et une couche barrière afin de séparer les couches à puits les unes des autres, et (C) une seconde couche semi-conductrice de composé à base de GaN à conductivité de type p (17). La couche à puits dans la couche active (15) est disposée de manière à satisfaire d1 < d2, où d1 représente la densité de la couche à puits sur le côté de la première couche semi-conductrice de composé à base de GaN dans la couche active (15) et d2 représente la densité de la couche à puits sur le côté de la seconde couche semi-conductrice de composé à base de GaN.
(JA) GaN系半導体発光素子は、(A)n型の導電型を有する第1GaN系化合物半導体層13、(B)井戸層、及び、井戸層と井戸層とを隔てる障壁層から成る多重量子井戸構造を有する活性層15、及び、(C)p型の導電型を有する第2GaN系化合物半導体層17を備え、活性層15における第1GaN系化合物半導体層側の井戸層密度をd1、第2GaN系化合物半導体層側の井戸層密度をd2としたとき、d1<d2を満足するように活性層15における井戸層が配置されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)