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1. (WO2007032260) 成形回路部品及びその製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/032260    国際出願番号:    PCT/JP2006/317813
国際公開日: 22.03.2007 国際出願日: 08.09.2006
H05K 3/18 (2006.01), B29C 69/00 (2006.01), H05K 3/00 (2006.01)
出願人: SANKYO KASEI CO., LTD. [JP/JP]; 11-14, Kugahara 2-chome, Ohta-ku Tokyo 1460085 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOSHIZAWA, Norio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WATANABE, Hiroaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YOSHIZAWA, Norio; (JP).
WATANABE, Hiroaki; (JP)
代理人: SHIMOSAKA, Sumiko; Yusei Fukushi Kotohira Bldg. 5th Floor 14-1, Toranomon 1-chome Minato-ku Tokyo 105-0001 (JP)
2005-264336 12.09.2005 JP
(JA) 成形回路部品及びその製造方法
要約: front page image
(EN)The range of selection of the material for a primary substrate and the material for a resin mask in a secondary substrate can be broadened, and short circuiting of a circuit can be reliably prevented. The shape of a primary substrate (1) is such that a circuit forming face (11) is in a convex form and a circuit non-forming face (12) is in a concave form, the difference in level between the circuit forming face (11) and the circuit non-forming face (12) is 0.05 mm, and the angle of side walls (13, 14) connecting the circuit forming face to the circuit non-forming face is 90º. In order to apply a catalyst, a palladium catalyst solution was immersed in a bath having a water depth of 500 mm at a liquid temperature of 40ºC for 5 min. Thereafter, a resin mask (3) is dissolved and removed, followed by electroless plating. As a result, the catalyst solution penetrates up to a part in which the creeping distance could have been increased, that is, up to both side walls (13, 14). That is, the catalyst penetration can be prevented, and short circuiting between conductive layers (50), that is, between circuits, can be prevented.
(FR)L’invention permet d’élargir la fourchette de sélection du matériau d’un substrat primaire et du matériau pour masque de résine dans un substrat secondaire, et d’empêcher de façon fiable la mise en court-circuit d’un circuit. La forme d’un substrat primaire (1) est telle qu’une face de formation de circuit (11) est de forme convexe et une face de non-formation de circuit (12) est de forme concave, la différence de niveau entre la face de formation de circuit (11) et la face de non-formation de circuit (12) est de 0,05 mm, et l’angle des parois latérales (13, 14) connectant la face de formation de circuit à la face de non-formation de circuit est de 90°. Pour appliquer un catalyseur, on a immergé une solution catalytique de palladium dans un bain d’une profondeur d’eau de 500 mm à une température de liquide de 40°C pendant 5 minutes. Ensuite, un masque de résine (3) est dissout et retiré, avant placage autocatalytique. Par conséquent, la solution catalytique pénètre jusqu’à un endroit auquel la distance de fluage aurait pu être accrue, c’est-à-dire, jusqu’aux deux parois latérales (13, 14). Ainsi, on peut prévenir la pénétration catalytique, et tout court-circuit entre des couches conductrices (50), c’est-à-dire, entre des circuits, peut être prévenu.
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)