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1. (WO2007032257) 磁気ランダムアクセスメモリの波形整形回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/032257    国際出願番号:    PCT/JP2006/317783
国際公開日: 22.03.2007 国際出願日: 07.09.2006
IPC:
G11C 11/15 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUGIBAYASHI, Tadahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HONDA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKIMURA, Noboru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUGIBAYASHI, Tadahiko; (JP).
HONDA, Takeshi; (JP).
SAKIMURA, Noboru; (JP)
代理人: KUDOH, Minoru; 6F, Kadoya Bldg. 24-10, Minamiooi 6-chome Shinagawa-ku Tokyo 1400013 (JP)
優先権情報:
2005-266998 14.09.2005 JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WAVEFORM SHAPING CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE CONFORMATION DE FORME D’ONDE DE MÉMOIRE À ACCÈS ALÉATOIRE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気ランダムアクセスメモリの波形整形回路
要約: front page image
(EN)An MRAM having a first cell array group (2-0) and a second cell array group (2-1) containing a plurality of cell arrays (21) is used. Each of the first cell array group (2-0) and the second cell array group (2-1) includes a first current source unit for supplying a first write current IWBL to a bit line WBL of the cell array (21) and a first current waveform shaping unit having a first capacitor requiring precharge and shaping the waveform of the first write current IWBL. When the cell array (21) performs write into a magnetic memory (24), the first current waveform shaping unit of the first cell array group (2-0) and the first current waveform shaping unit of the second cell array group (2-1) charges and discharges electric charge accumulated in the first capacitor to wiring toward the bit line WBL at different periods from each other.
(FR)Cette invention concerne une mémoire à accès aléatoire magnétique (MRAM) comprenant un premier groupe de réseaux de cellules (2-0) et un second groupe de réseaux de cellules (2-1) contenant une pluralité de réseaux de cellules (21). Le premier groupe de réseaux de cellules (2-0) et le second (2-1) comprennent une première unité de source de courant qui fournit un premier courant d’écriture IWBL à un canal bit WBL du réseau de cellules (21) et une première unité de conformation de forme d’onde de courant avec un premier condensateur exigeant une précharge qui conforme la forme d’onde du premier courant d’écriture IWBL. Lorsque le réseau de cellules (21) réalise une écriture dans une mémoire magnétique (24), la première unité de conformation de forme d’onde de courant du premier groupe de réseaux de cellules (2-0) et celle du second groupe de réseaux de cellules (2-1) chargent et déchargent une charge électrique accumulée dans le premier condensateur sur un câblage vers le canal bit WBL à des périodes différentes l’une de l’autre.
(JA) 複数のセルアレイ21を含む第1セルアレイ群2-0と第2セルアレイ群(2-1)とを具備するMRAMを用いる。第1セルアレイ群2-0及び第2セルアレイ群2-1の各々は、セルアレイ21のビット線WBLに第1書込み電流IWBLを供給する第1電流源部と、プリチャージが必要な第1キャパシタを有し第1書込み電流IWBLの波形を整形する第1電流波形整形部とを含む。セルアレイ21の磁気メモリセル24の書込み動作のとき、第1セルアレイ群2-0の第1電流波形整形部と第2セルアレイ群2-1の第1電流波形整形部とは、互いに異なる期間にビット線WBLへ向う配線に対して第1キャパシタに蓄積された電荷の充放電を行う。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)