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1. (WO2007032218) 薄膜作製装置及び薄膜作製方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/032218    国際出願番号:    PCT/JP2006/317442
国際公開日: 22.03.2007 国際出願日: 04.09.2006
IPC:
C23C 16/20 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01)
出願人: PHYZCHEMIX CORPORATION [JP/JP]; ATT East 11F, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo, 107-0052 (JP) (米国を除く全ての指定国).
JUN, Keeyoung [KR/JP]; (JP) (米国のみ).
OOBA, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAMOTO, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OGURA, Yuzuru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SEKINE, Takayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: JUN, Keeyoung; (JP).
OOBA, Yoshiyuki; (JP).
SAKAMOTO, Hitoshi; (JP).
OGURA, Yuzuru; (JP).
SEKINE, Takayuki; (JP)
代理人: KURIHARA, Hiroyuki; Kurihara International Patent Office Iwasaki Bldg. 6F 3-15, Hiroo 1-chome Shibuya-ku, Tokyo 1500012 (JP)
優先権情報:
2005-267016 14.09.2005 JP
発明の名称: (EN) THIN-FILM PRODUCING APPARATUS AND METHOD OF PRODUCING THIN FILM
(FR) DISPOSITIF DE PRODUCTION DE PELLICULE MINCE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE LA PELLICULE MINCE
(JA) 薄膜作製装置及び薄膜作製方法
要約: front page image
(EN)A thin film of Al is unfailingly produced by feeding action gas (17) containing chlorine into chamber (1), increasing the pressure within the chamber (1) to thereby prolong the staying time thereof, causing chloride radicals to etch Al-made etching object member (11) so as to form precursor AlCl3 composed of halogen Cl and the Al component of the etching object member, and causing the Al component of the precursor AlCl3 to, via, easily reducible by chloride radicals, AlCl2 and AlCl intermediates, form a film on the side of substrate (3).
(FR)Dans la présente invention, une pellicule mince d'Al est produite immanquablement en introduisant un gaz actif (17) contenant du chlore dans un réacteur (1), en augmentant la pression à l’intérieur du réacteur (1) afin d'en prolonger le temps de maintien, permettant aux radicaux de chlorure d'écailler un élément d'objet à écailler en Al (11) de façon à constituer un précurseur AlCl3 composé de l’halogène Cl et du composant Al de l’élément d’objet à écailler, et permettant au composant Al du précurseur AlCl3 de constituer, via des intermédiaires AlCl2 et AlCl facilement réductibles par des radicaux chlorures, une pellicule sur le côté d’un substrat (3).
(JA) 塩素を含有する作用ガス17をチャンバ1内に供給し、チャンバ1内の圧力を高くして滞留時間を長くし、塩素ラジカルによりAl製の被エッチング部材11をエッチングして被エッチング部材に含まれるAl成分とハロゲンClとからなる前駆体AlClを生成し、塩素ラジカルによる還元が容易なAlCl及びAlClの中間体を介して前駆体AlClのAl成分を基板3側に成膜させ、Alの薄膜を確実に作製する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)