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1. (WO2007032165) 半導体装置およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/032165    国際出願番号:    PCT/JP2006/315837
国際公開日: 22.03.2007 国際出願日: 10.08.2006
IPC:
H01L 31/10 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 21/761 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo (JP) (米国を除く全ての指定国).
ARAI, Chihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ARAI, Chihiro; (JP)
代理人: IWASAKI, Sachikuni; c/o Miyoshi International Patent Office, Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2005-263366 12.09.2005 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device (1) has a plurality of photodiodes (20) on a semiconductor substrate (11). The photodiodes (20(20a, 20b)) have cathodes (22) and a common anode (21), which are formed electrically independent of the semiconductor substrate (11). In the photodiodes having the common anode (21) and the separated cathodes (22), the output from the common anode (21) is treated as equivalent to the sum of the outputs of the separated photodiodes (20). Alternatively, a plurality of photodiodes have a common cathode and a plurality of separated anodes, and the output from the common cathode is treated as equivalent to the sum of the outputs of the separated photodiodes. The anode and cathode of a photodiode are completely isolated electrically from the substrate, whereby noise and crosstalk can be reduced.
(FR)dispositif semi-conducteur (1) possédant une pluralité de photodiodes (20) sur un substrat semi-conducteur (11). Les photodiodes (20(20a, 20b)) comportent des cathodes (22) et une anode commune (21), qui sont formées indépendamment électriquement du substrat semi-conducteur (11). Dans les photodiodes ayant l’anode commune (21) et les cathodes séparées (22), la sortie de l'anode commune (21) est traitée comme équivalente à la somme des sorties des photodiodes séparées (20). En variante, une pluralité de photodiodes possèdent une cathode commune et une pluralité d’anodes séparées, et la sortie de la cathode commune est traitée comme équivalente à la somme des sorties des photodiodes séparées. L’anode et la cathode d’une photodiode sont complètement isolées électriquement du substrat, ce qui permet de réduire le bruit et la diaphonie.
(JA) 半導体基板(11)上に複数のフォトダイオード(20)を有する半導体装置(1)であって、複数のフォトダイオード(20(20a、20b))のカソード(22)と共通のアノード(21)とが半導体基板(11)と電気的に独立して形成されていて、複数のフォトダイオード(20)は共通のアノード(21)と複数の分離されたカソード(22)を有し、共通のアノード(21)からの出力を複数に分割されたフォトダイオード(20)の加算出力と等価に扱う、または複数のフォトダイオードは共通のカソードと複数の分離されたアノードを有し、共通のカソードからの出力を複数に分割されたフォトダイオードの加算出力と等価に扱うものである。フォトダイオードのアノードとカソードとを基板から電気的に完全分離することで、ノイズ特性の低減、クロストークの低減を可能とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)