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1. (WO2007032118) 炭化ケイ素半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/032118    国際出願番号:    PCT/JP2006/308531
国際公開日: 22.03.2007 国際出願日: 24.04.2006
IPC:
H01L 29/161 (2006.01), H01L 29/04 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUGIMOTO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUNO, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHTSUKA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIKAMI, Noboru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KURODA, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUGIMOTO, Hiroshi; (JP).
MATSUNO, Yoshinori; (JP).
OHTSUKA, Kenichi; (JP).
MIKAMI, Noboru; (JP).
KURODA, Kenichi; (JP)
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor 2-7, Nakanoshima 2-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2005-267264 14.09.2005 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AU CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化ケイ素半導体装置
要約: front page image
(EN)On a major surface of an n-type silicon carbide inclined substrate (2) is formed an n-type voltage-blocking layer (3) made of silicon carbide by means of epitaxial growth. On the n-type voltage-blocking layer (3) is formed a p-type silicon carbide region (4) rectangular when viewed from above. On the surface of the p-type silicon carbide region (4) is formed a p-type contact electrode (5). In the p-type silicon carbide region (4), the periphery of the p-type silicon carbide region (4) that is parallel with a (11-20) plane (14a) of the silicon carbide crystal, which is liable to cause avalanche breakdown, is located on the short side. In this manner, the dielectric strength of a silicon carbide semiconductor device can be improved.
(FR)Sur la surface principale d’un substrat de carbure de silicium de type n incliné (2) est disposée une couche de blocage de tension de type n (3) constituée de carbure de silicium par croissance épitaxiale. Sur la couche de blocage de tension de type (3) est disposée une zone de carbure de silicium de type p (4) de forme rectangulaire vue de dessus. Sur la surface de la zone de carbure de silicium de type p (4) est placée une électrode de contact de type p (5). Dans la zone de carbure de silicium de type p (4), la périphérie de la zone de carbure de silicium de type p (4) qui est parallèle avec un (11-20) plan (14a) du cristal de carbure de silicium, qui est susceptible de provoquer un claquage par avalanche, est située sur le petit côté. De cette façon, la rigidité diélectrique d'un dispositif semi-conducteur au carbure de silicium peut être améliorée.
(JA) n型の炭化ケイ素傾斜基板(2)の主表面上に、エピタキシャル成長法によって炭化ケイ素からなるn型の耐圧層(3)が形成されている。n型の耐圧層(3)に平面形状が長方形のp型炭化ケイ素領域(4)が形成されている。p型炭化ケイ素領域(4)の表面にp型コンタクト電極(5)が形成されている。p型炭化ケイ素領域(4)では、アバランシェ絶縁破壊が生じやすくなる炭化ケイ素結晶の(11-20)面(14a)と平行になるp型炭化ケイ素領域(4)の外周部の部分が短辺側に位置する。これにより、炭化ケイ素半導体装置の絶縁耐性を高くすることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)