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1. (WO2007032067) 半導体装置とその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/032067    国際出願番号:    PCT/JP2005/016943
国際公開日: 22.03.2007 国際出願日: 14.09.2005
IPC:
H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
PIDIN, Sergey [UA/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: PIDIN, Sergey; (JP)
代理人: TAKAHASHI, Keishiro; TAKAHASHI & KITAYAMA 4th Fl., Okachimachi Tohsei BLDG., 3-12-1, Taito, Taito-ku, Tokyo1100016 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS FABRICATION METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE
(JA) 半導体装置とその製造方法
要約: front page image
(EN)A logic embedded memory semiconductor device comprises an STI defining a plurality of active regions in a semiconductor substrate, a recess formed by removing part of the depth of the STI in a memory area, a capacitor storage electrode formed on the inner surface of the recess and extending along the top surface of an adjacent active region, a capacitor dielectric film formed on the capacitor storage electrode, a capacitor opposed electrode formed on the capacitor dielectric film, an access transistor formed in the active region along which the capacitor storage electrode extends and having a source and a drain one of which extends under the capacitor storage electrode to form an electrical connection, and a logic transistor formed in a logic area. The opposed electrode, capacitor dielectric electrode, and capacitor storage electrode constitute a memory capacitor, and the gate electrodes of the access transistor and logic transistor are formed using the same layer as the capacitor opposed electrode.
(FR)Dispositif semi-conducteur à mémoire intégrée logique comprenant une STI définissant une pluralité de régions actives dans un substrat semi-conducteur, un évidement constitué en enlevant une partie de la profondeur de la STI dans une zone mémoire, une électrode de stockage de condensateur constituée sur la surface interne de l’évidement et s'étendant le long de la surface supérieure d’une région active adjacente, un film diélectrique à condensateur formé sur l’électrode de stockage de condensateur, une électrode opposée à condensateur formé sur le film diélectrique à condensateur, un transistor d’accès formé dans la région active le long de laquelle s’étend l’électrode de stockage de condensateur, et ayant une source et un drain dont l’un s’étend sous l’électrode de stockage de condensateur pour constituer une connexion électrique, et un transistor logique formé dans une zone logique. L'électrode opposée, l’électrode diélectrique à condensateur, et l’électrode de stockage de condensateur constituent un condensateur à mémoire, et les électrodes de grille du transistor d’accès et du transistor logique sont formées en utilisant la même couche que l’électrode opposée à condensateur.
(JA) ロジック混載メモリ半導体装置は、半導体基板に複数の活性領域を画定するSTIと、メモリ領域において、STIの一部深さを除去して形成されたリセスと、リセスの内面上に形成され、隣接する活性領域上面に延在するキャパシタ蓄積電極と、キャパシタ蓄積電極上に形成されたキャパシタ誘電体膜と、キャパシタ誘電体膜上に形成されたキャパシタ対向電極と、キャパシタ蓄積電極が延在する活性領域に形成され、一方のソース/ドレイン領域がキャパシタ蓄積電極下に入り込み、電気的接続を形成するアクセストランジスタと、ロジック領域に形成されたロジックトランジスタと、を有し、対向電極、キャパシタ誘電体膜、キャパシタ蓄積電極がメモリ用キャパシタを構成し、アクセストランジスタ、ロジックトランジスタのゲート電極がキャパシタ対向電極と同一層を用いて形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)