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1. (WO2007029826) フォトマスクブランクとその製造方法、及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/029826    国際出願番号:    PCT/JP2006/317893
国際公開日: 15.03.2007 国際出願日: 08.09.2006
IPC:
G03F 1/00 (2012.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: HOYA CORPORATION [JP/JP]; 7-5, Naka-Ochiai 2-chome, Shinjuku-ku Tokyo 1618525 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMADA, Takeyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOMINATO, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IWASHITA, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HASHIMOTO, Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKUBO, Yasushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMADA, Takeyuki; (JP).
KOMINATO, Atsushi; (JP).
IWASHITA, Hiroyuki; (JP).
HASHIMOTO, Masahiro; (JP).
OKUBO, Yasushi; (JP)
代理人: OTSUKA, Takefumi; Room 302, Ginza Chuo Bldg., 1-20, Tsukiji 4-chome, Chuo-ku Tokyo 1040045 (JP)
優先権情報:
2005-261667 09.09.2005 JP
2005-274750 21.09.2005 JP
2005-286165 30.09.2005 JP
発明の名称: (EN) PHOTOMASK BLANK AND PRODUCTION METHOD THEREOF, AND PHOTOMASK PRODUCTION METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) STRUCTURE DE PHOTOMASQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PHOTOMASQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) フォトマスクブランクとその製造方法、及びフォトマスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A photomask blank capable of restricting charge-up by electron beam drawing used for forming a resist pattern, a satisfactory photomask blank for optimizing a dry etching speed in the depth direction of a shielding film, a photomask blank capable of shortening a dry etching time by increasing the dry etching speed of a shielding film. The photomask blank having on a translucent substrate a shielding film consisting of materials mainly containing chromium, wherein the shielding film consists of materials containing hydrogen. The shielding film is formed so that the film forming speed of a layer formed on the translucent substrate side is higher than that of a layer formed on the surface side of the shielding film. The dry etching speed on the translucent substrate side of the shielding film is set to be lower than that on the surface side of the shielding film.
(FR)La présente invention concerne une structure de photomasque capable de restreindre la charge par extraction d’électron utilisée pour tracer un motif d’enduit de protection, une structure de photomasque satisfaisante pour optimiser la vitesse de la gravure sèche dans la direction de la profondeur d’une pellicule de blindage, une structure de photomasque capable de raccourcir la durée de la gravure sèche en augmentant la vitesse de la gravure sèche de la pellicule de blindage. Elle concerne spécifiquement une structure de photomasque comportant une pellicule de blindage sur un substrat translucide constituée de matériaux contenant principalement du chrome, la pellicule de blindage consistant en matériaux contenant de l’hydrogène. La pellicule de blindage est constituée de sorte que la vitesse de formation de pellicule d’une couche disposée du côté du substrat translucide est supérieure à celle d’une couche formée du côté de la surface de la pellicule de blindage. La vitesse de gravure sèche du côté du substrat translucide de la pellicule de blindage est déterminée pour être inférieure à celle du côté de la surface de la pellicule de blindage.
(JA) レジストパターンを形成するための電子線描画によるチャージアップを抑制できるフォトマスクブランク、遮光膜の深さ方向でのドライエッチング速度を最適化させ良好なパターン精度が得られるフォトマスクブランク、遮光膜のドライエッチング速度を高めることでドライエッチング時間が短縮できるフォトマスクブランクを提供する。  本発明のフォトマスクブランクは、透光性基板上に主にクロムを含む材料からなる遮光膜を有するフォトマスクブランクにおいて、上記遮光膜は、水素を含む材料からなる。また、上記遮光膜は、透光性基板側に形成する層の成膜速度よりも遮光膜の表面側に形成する層の成膜速度を遅くして形成する。また、上記遮光膜の透光性基板側におけるドライエッチング速度を、遮光膜の表面側におけるドライエッチング速度よりも遅くさせるようにした。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)