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1. (WO2007029777) イオン源およびプラズマ処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/029777    国際出願番号:    PCT/JP2006/317758
国際公開日: 15.03.2007 国際出願日: 07.09.2006
IPC:
H01J 27/16 (2006.01), H01J 37/08 (2006.01), H01J 37/305 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01), H05H 1/46 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SASAKI, Naruyasu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMIZU, Saburou [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUNIBE, Toshiju [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SASAKI, Naruyasu; (JP).
SHIMIZU, Saburou; (JP).
KUNIBE, Toshiju; (JP)
代理人: IISAKA, Yasuo; Utoku-building 6-85, Benten-dori, Naka-ku Yokohama-shi, Kanagawa 2310007 (JP)
優先権情報:
2005-261901 09.09.2005 JP
発明の名称: (EN) ION SOURCE AND PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) SOURCE IONIQUE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) イオン源およびプラズマ処理装置
要約: front page image
(EN)To enable long-life, stable plasma formation. A ion source in which a high-frequency antenna (16) is installed on the outer peripheral side of a partition wall (15) consisting a dielectric and partitioning a plasma producing chamber (14), and a shield body (26) consisting of a dielectric and preventing the deposition of a film on the inner peripheral surface of the partition wall (15) facing the high-frequency antenna (16) is provided inside the plasma producing chamber (14). The structure consisting of a dielectric can prevent an increase in high-frequency power required for inductive coupling with plasma. The shied body (26) is formed with a slot (26a) in a direction crossing the winding direction of the high-frequency antenna (16). Since this arrangement can prevent the continuous depositing of a film on the inner surface of the partition wall in the winding direction of the high-frequency antenna, an induction loss between the high-frequency antenna and the plasma producing chamber can be effective prevented even if the deposited film consists of an inductive material.
(FR)L'invention permet une formation de plasma stable de longue durée de vie. L'invention porte sur une source ionique dans laquelle une antenne haute fréquence (16) est installée sur le côté périphérique externe d’une cloison de séparation (15) consistant en un diélectrique et cloisonnant une chambre de production de plasma (14), et un corps de blindage (26) consistant en un diélectrique et empêchant le dépôt d’un film sur la surface périphérique interne de la cloison de séparation (15) faisant face à l’antenne haute fréquence (16) est disposé à l’intérieur de la chambre de production de plasma (14). La structure consistant en un diélectrique peut empêcher une augmentation de la puissance haute fréquence requise pour un couplage inductif au plasma. Le corps de blindage (26) comporte une fente (26a) dans une direction croisant le sens d’enroulement de l’antenne haute fréquence (16). Comme cette configuration peut empêcher le dépôt continu d’un film sur la surface interne de la cloison de séparation dans le sens d’enroulement de l'antenne haute fréquence, on peut empêcher de manière efficace toute perte d’induction entre l'antenne haute fréquence et la chambre de production de plasma même si le film déposé se compose d’un matériau inductif.
(JA)not available
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)