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1. (WO2007029711) 半導体発光素子及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/029711    国際出願番号:    PCT/JP2006/317569
国際公開日: 15.03.2007 国際出願日: 05.09.2006
IPC:
H01L 33/12 (2010.01), C23C 14/08 (2006.01), H01L 21/365 (2006.01), H01L 33/16 (2010.01), H01L 33/28 (2010.01)
出願人: CITIZEN TOHOKU CO., LTD. [JP/JP]; 2-25, Kitakogyodanchi, Kitakami-shi, Iwate 0240002 (JP) (米国を除く全ての指定国).
INCORPORATED NATIONAL UNIVERSITY IWATE UNIVERSITY [JP/JP]; 18-8, Ueda 3-chome, Morioka-shi, Iwate 0208550 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAGAWA, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KASHIWABA, Yasube [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NIIKURA, Ikuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAGAWA, Akira; (JP).
KASHIWABA, Yasube; (JP).
NIIKURA, Ikuo; (JP)
代理人: OSAWA, Takashi; 818, Ikebukuro White House Bldg. 20-2, Higashi Ikebukuro 1-chome Toshima-ku, Tokyo 170-0013 (JP)
優先権情報:
2005-257781 06.09.2005 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体発光素子及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor light-emitting device wherein a pn junction is formed by forming, as a p-type layer (11), a semiconductor thin film which is composed of a ZnO compound doped with nitrogen on an n-type ZnO bulk single crystal substrate (10) whose resistance is lowered by being doped with dopant impurities. It is preferable to form the p-type layer (11) on a zinc atom-containing surface of the n-type ZnO bulk single crystal substrate (10).
(FR)La présente invention concerne un dispositif émetteur de lumière semi-conducteur comportant une jonction pn obtenue en disposant, en tant que couche de type p (11), une pellicule mince semi-conductrice qui est composée d'un composé de ZnO dopé avec de l'azote sur un substrat monocristallin de ZnO de type n (10) dont la résistance est diminuée par un dopage aux impuretés dopantes. Il est préférable de disposer la couche de type p (11) sur une surface contenant des atomes de zinc du substrat monocristallin de ZnO de type n (10).
(JA) ドナー不純物のドーピングによって低抵抗化したn形ZnOバルク単結晶基板10上に、p形層11として窒素をドープしたZnO系化合物からなる半導体薄膜を形成してpn接合させた半導体発光素子であり、n形ZnOバルク単結晶基板10の亜鉛原子を含む面にp形層11を形成するのが望ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)