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1. (WO2007029703) 洗浄方法および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/029703    国際出願番号:    PCT/JP2006/317557
国際公開日: 15.03.2007 国際出願日: 05.09.2006
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
出願人: SONY CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Konan 1-chome Minato-ku, Tokyo 108-0075 (JP) (米国を除く全ての指定国).
Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. [JP/JP]; 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAGA, Koichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMADA, Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AZUMA, Tomoyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MURATA, Yuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAGA, Koichiro; (JP).
YAMADA, Kenji; (JP).
AZUMA, Tomoyuki; (JP).
MURATA, Yuji; (JP)
代理人: OHTANI, Tamotsu; Ohtani Patent Office Bridgestone Toranomon Bldg. 6F 25-2, Toranomon 3-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2005-258738 07.09.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF CLEANING AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE ET PROCESSUS DE PRODUCTION D’UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 洗浄方法および半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A method of cleaning for removing of any metal compounds adhering to a surface of base material, comprising feeding to the surface of base material a supercritical carbon dioxide fluid containing at least either triallylamine or tris(3-aminopropyl)amine so as to clean the surface; and a process for producing a semiconductor device, in which use is made of the cleaning method. In the above method of cleaning and process for producing a semiconductor device in which use is made of the method, any polishing residue and etching residue containing metal compounds can be removed efficiently and selectively to the conductive material constituting the conductive layer. Thus, when the conductive layer is a wiring, there can be avoided not only any resistance increase of wiring by residue of metal compounds but also any increase of leak current attributed to metal diffusion from the metal compounds to the insulating film. Therefore, there can be achieved not only enhancement of wiring reliability but also enhancement of yield of semiconductor device.
(FR)La présente invention concerne un procédé de nettoyage pour retirer tous les composés métalliques adhérant à la surface d'un matériau de base, comprenant l'introduction sur la surface du matériau de base d'un fluide de dioxyde de carbone surcritique contenant au moins soit de la triallylamine soit de la tris(3-aminopropyl)amine afin de nettoyer la surface ; et un processus de production d’un dispositif semi-conducteur, dans lequel est utilisé le procédé de nettoyage. Dans le procédé de nettoyage et le processus de production d’un dispositif semi-conducteur ci-dessus dans lequel le procédé est utilisé, tout résidu de polissage et d'écaillage contenant des composés métalliques peut être éliminé efficacement et sélectivement du matériau conducteur constituant la couche conductrice. Ainsi, lorsque la couche conductrice est un circuit, il est possible d’éviter non seulement toute augmentation de la résistance du circuit par les résidus de composés métalliques mais encore toute augmentation de courant de fuite attribuée à la diffusion de métal depuis les composés métalliques vers la pellicule isolante. Par conséquent, il est possible non seulement d’améliorer la fiabilité du circuit, mais également le rendement du dispositif semi-conducteur.
(JA) 基体の表面に付着した金属化合物を除去する洗浄方法であって、トリアリルアミンおよびトリス(3-アミノプロピル)アミンの少なくとも1種を含有する超臨界二酸化炭素流体を、前記基体の表面に供給して洗浄する洗浄方法および、該洗浄方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。本発明の洗浄方法および該方法を用いた半導体装置の製造方法によれば、金属化合物を含むエッチング残渣または研磨残渣が、導電層を構成する導電材料に対して選択的に効率よく除去される。これにより、導電層が配線である場合には、金属化合物の残留による配線の高抵抗化を防止することができると共に、金属化合物から絶縁膜に金属が拡散することによるリーク電流の増加を防止することができる。従って、配線信頼性を向上させることができ、半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)