WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2007029655) 六方晶系窒化物単結晶の製造方法、六方晶系窒化物半導体結晶及び六方晶系窒化物単結晶ウエハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/029655    国際出願番号:    PCT/JP2006/317474
国際公開日: 15.03.2007 国際出願日: 04.09.2006
予備審査請求日:    05.07.2007    
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C30B 9/10 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KITAOKA, Yasuo; (米国のみ).
MINEMOTO, Hisashi; (米国のみ).
KAWAGUCHI, Yasutoshi; (米国のみ).
MORI, Yusuke; (米国のみ).
SASAKI, Takatomo; (米国のみ).
KAWAMURA, Fumio; (米国のみ)
発明者: KITAOKA, Yasuo; .
MINEMOTO, Hisashi; .
KAWAGUCHI, Yasutoshi; .
MORI, Yusuke; .
SASAKI, Takatomo; .
KAWAMURA, Fumio;
代理人: IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER 8-30, Tenmabashi 1-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5306026 (JP)
優先権情報:
2005-257109 05.09.2005 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING HEXAGONAL NITRIDE SINGLE CRYSTAL, HEXAGONAL NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, AND PROCESS FOR PRODUCING HEXAGONAL NITRIDE SINGLE-CRYSTAL WAFER
(FR) PROCESSUS DE FABRICATION DE SIMPLE CRISTAL DE NITRURE HEXAGONAL, CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE HEXAGONAL, ET PROCESSUS DE FABRICATION DE GALETTE À SIMPLE CRISTAL DE NITRURE HEXAGONAL
(JA) 六方晶系窒化物単結晶の製造方法、六方晶系窒化物半導体結晶及び六方晶系窒化物単結晶ウエハの製造方法
要約: front page image
(EN)A process for producing a hexagonal nitride single crystal by which an improved growth rate is attained and a large crystal of high quality can be grown in a short time; and a hexagonal nitride single crystal obtained by the process. The process is characterized in that a hexagonal nitride single crystal is grown simultaneously on each side of a flat seed-crystal substrate by liquid phase epitaxy. The crystal growth preferably is conducted while disposing the seed-crystal substrate in a melt comprising at least one Group III element selected from the group consisting of gallium, aluminum, and indium, a flux comprising at least one of alkali metals and alkaline earth metals, and nitrogen in the presence of a nitrogenous gas so that both sides of the seed-crystal substrate is in contact with the melt.
(FR)Processus de fabrication d'un cristal simple de nitrure hexagonal permettant d’obtenir un taux de croissance amélioré et de cultiver un gros cristal de grande qualité en un court laps de temps ; et cristal simple de nitrure hexagonal obtenu par le processus. Le processus est caractérisé en ce qu’un cristal simple de nitrure hexagonal est cultivé simultanément sur chaque côté d’un substrat de cristal d'ensemencement plat par épitaxie en phase liquide. La culture du cristal est réalisée de préférence en disposant le substrat de cristal d'ensemencement dans un produit de fusion comprenant au moins un élément de groupe III sélectionné dans le groupe consistant en gallium, aluminium, et indium, un flux comprenant au moins un élément parmi les métaux alcalins et les métaux alcalino-terreux, et de l’azote en présence d’un gaz azoté pour que les deux côtés du substrat de cristal d'ensemencement soient au contact du produit de fusion.
(JA) 成長レートを向上し、高品質で大きな結晶を短時間で育成できる六方晶系窒化物単結晶の製造方法、それにより得られる六方晶系窒化物単結晶を提供する。  液相成長によって平面状の種結晶基板の両面に同時に六方晶系窒化物単結晶を成長させることを特徴とする。前記結晶成長は、窒素含有ガスの存在下、ガリウム、アルミニウム及びインジウムからなる群から選択される少なくとも1つのIII族元素と、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の少なくとも一方のフラックスと、窒素とを含む融液を用い、前記種結晶基板の両面が融液と接触するように、前記種結晶基板を融液中に配置して行うことが好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)