WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2007029385) シリコン基板におけるインターナルゲッタリングの挙動を予測する方法および同挙動を予測するプログラムを記憶した記憶媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/029385    国際出願番号:    PCT/JP2006/311224
国際公開日: 15.03.2007 国際出願日: 05.06.2006
IPC:
H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
出願人: KOMATSU DENSHI KINZOKU KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 25-1, Shinomiya 3-chome, Hiratsuka-shi, Kanagawa 2540014 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAMURA, Kozo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAMURA, Kozo; (JP)
代理人: KIMURA, Takahisa; 6F, Sendai Building, 8-11 Minato 1-chome, Chuo-ku Tokyo 1040043 (JP)
優先権情報:
2005-254994 02.09.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF PREDICTING BEHAVIOR OF INTERNAL GETTERING IN SILICON SUBSTRATE AND STORAGE MEDIUM STORING PROGRAM FOR PREDICTING OF THE BEHAVIOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉVISION DE COMPORTEMENT DE DÉGAZAGE INTERNE DANS UN SUBSTRAT DE SILICIUM ET SUPPORT DE STOCKAGE CONSERVANT UN PROGRAMME DE PRÉVISION DE COMPORTEMENT
(JA) シリコン基板におけるインターナルゲッタリングの挙動を予測する方法および同挙動を予測するプログラムを記憶した記憶媒体
要約: front page image
(EN)In the predicting of the behavior of internal gettering in silicon substrate with the use of an arithmetic expression valid among, in a silicon substrate, the initial contamination concentration of iron (Cini), density of oxygen precipitate (N), radius of oxygen precipitate (R), internal gettering heat treatment temperature (T), internal gettering heat treatment time (t) and concentration of iron (Fe) remaining in the silicon substrate after heat treatment (C(t)), an arithmetic expression taking into consideration the process of occurrence of iron silicide nuclei at the surface of oxygen precipitate and the process of iron gettering by oxygen precipitate having undergone the occurrence of iron silicide nuclei at the surface thereof is added to thereby accomplish the predicting of the behavior of internal gettering in the silicon substrate. The above is applicable to the internal gettering of non-iron(Fe) contaminant heavy metals, such as copper (Cu) and nickel (Ni).
(FR)La présente invention se rapporte à la prévision du comportement de dégazage interne dans un substrat de silicium avec l'aide d'une expression arithmétique valide parmi (sur un substrat de silicium), la concentration de contamination initiale de fer (Cini), la densité de précipité d'oxygène (N), le rayon de précipité d'oxygène (R), la température de traitement à la chaleur du dégazage interne (T), la durée du traitement à la chaleur du dégazage interne (t) et la concentration en fer (Fe) restant dans le substrat de silicium après le traitement à la chaleur (C(t)), une expression arithmétique prenant en compte le processus de survenue des noyaux de siliciure de fer à la surface du précipité d'oxygène et le processus de dégazage du fer par le précipité d'oxygène ayant subi la survenue des noyaux de siliciure de fer sur sa surface est ajouté pour ainsi accomplir la prévision du comportement du dégazage interne dans le substrat de silicium. Les éléments qui précèdent sont applicables au dégazage interne des métaux lourds contaminants autres que le fer (Fe), comme le cuivre (Cu) et le nickel (Ni).
(JA) シリコン基板中の鉄の初期汚染濃度Ciniと、酸素析出物の密度Nと、酸素析出物の半径Rと、インターナルゲッタリングの熱処理温度Tと、インターナルゲッタリングの熱処理時間tと、熱処理後にシリコン基板中に残存する鉄Feの濃度C(t)との間に成立する演算式を用いて、シリコン基板におけるインターナルゲッタリングの挙動を予測するに際して、酸素析出物の表面において鉄シリサイドの核が発生する過程と、表面に鉄シリサイドの核が発生した酸素析出物によって鉄をゲッタリングする過程を考慮した演算式を加えて、シリコン基板におけるインターナルゲッタリングの挙動を予測する。本発明は、鉄Fe以外の銅Cu、ニッケルNi等の汚染重金属をインターナルゲッタリングする場合にも適用することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)