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1. (WO2007029320) 強誘電体メモリ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/029320    国際出願番号:    PCT/JP2005/016443
国際公開日: 15.03.2007 国際出願日: 07.09.2005
IPC:
G11C 11/22 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOSHIOKA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YOSHIOKA, Hiroshi; (JP)
代理人: HATTORI, Kiyoshi; HATTORI PATENT OFFICE Hachioji Azumacho Center Building 9-8, Azuma-cho Hachioji-shi, Tokyo 1920082 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) FERROELECTRIC MEMORY
(FR) MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE
(JA) 強誘電体メモリ
要約: front page image
(EN)A reference voltage can be easily and reliably obtained with a simple configuration. A ferroelectric memory (1) comprises memory cells (MC1, MC2), a plurality of bit lines (BLSA, /BLSA), a plate line (PL), and a driver circuit (2). The memory cells (MC1, MC2) include ferroelectric capacitors (FC1, FC2) and MOS transistors (M1, M2). The bit lines (BLSA, /BLSA) are provided corresponding to the memory cells (MC1, MC2) for reading out the data from the memory cells (MC1, MC2). The plate line (PL) applies a driving signal for driving the ferroelectric capacitors (FC1, FC2). The driver circuit (2) includes ferroelectric capacitors (FC3, FC4), and drives the ferroelectric capacitors (FC3, FC4) in synchronization with the driving signal of the plate line (PL). The ferroelectric capacitors (FC3, FC4) lowers a charge amount equal to the charge amount supplied to the bit line (BLSA) from the ferroelectric capacitor (FC1) when the ferroelectric capacitors (FC1, FC2) are driven.
(FR)La présente invention concerne une tension de référence qui peut être obtenue de manière fiable et aisée avec une configuration simple. Une mémoire ferroélectrique (1) comprend des cellules de mémoire (MC1, MC2), une pluralité de lignes de bit (BLSA/BLSA), une ligne de plaque (PL) et un circuit d'attaque (2). Les cellules de mémoire (MC1, MC2) comprennent des condensateurs ferroélectriques (FC1, FC2) et des transistors MOS (M1, M2). Les lignes de bit (BLSA, /BLSA) correspondent aux cellules mémoire (MC1, MC2) pour lire les données à partir des cellules mémoire (MC1, MC2). La ligne de plaque (PL) applique un signal d'attaque pour commander les condensateurs ferroélectriques (FC1, FC2). Le circuit d'attaque (2) comprend des condensateurs ferroélectriques (FC3, FC4) et commande les condensateurs ferroélectriques (FC3, FC4) en synchronisation avec le signal de commande de la ligne de plaque (PL). Les condensateurs ferroélectriques (FC3, FC4) abaissent une quantité de charge égale à la quantité de charge fournie à la ligne de bits (BLSA) à partir du condensateur ferroélectrique (FC1) lorsque les condensateurs ferroélectriques (FC1, FC2) sont commandés.
(JA) 簡易な構成で、容易かつ確実に基準電位を得ることができる。  強誘電体メモリ(1)は、強誘電体キャパシタ(FC1)、(FC2)とMOSトランジスタ(M1)、(M2)とで構成されるメモリセル(MC1)、(MC2)と、メモリセル(MC1)、(MC2)に対応して設けられ、メモリセル(MC1)、(MC2)のデータを読み出す複数のビット線(BLSA)、(/BLSA)と、強誘電体キャパシタ(FC1)、(FC2)を駆動する駆動信号を印加するプレート線(PL)と、強誘電体キャパシタ(FC1)、(FC2)の駆動時に、強誘電体キャパシタ(FC1)からビット線(BLSA)に導出される電荷量に等しい電荷量を引き下げる強誘電体キャパシタ(FC3)、(FC4)を備え、プレート線(PL)の駆動信号に同期して強誘電体キャパシタ(FC3)、(FC4)を駆動する駆動回路(2)と、を有する。                                                                               
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)