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1. (WO2007029289) 強誘電体メモリ装置およびその製造方法、半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/029289    国際出願番号:    PCT/JP2005/016042
国際公開日: 15.03.2007 国際出願日: 01.09.2005
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SASHIDA, Naoya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SASHIDA, Naoya; (JP)
代理人: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower 20-3, Ebisu 4-chome Shibuya-ku, Tokyo 1506032 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) FERROELECTRIC MEMORY DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MÉMOIRE FERROÉLECTRIQUE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 強誘電体メモリ装置およびその製造方法、半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)A thin aluminum oxide film having a thickness of not more than 10 nm is formed between a self-aligning film formed under a lower electrode in a ferroelectric capacitor and an electrically conductive plug underlying the self-aligning film to block the influence of alignment of crystal grains in the electrically conductive plug on the self-aligning film. Further, a thin nitride film is formed on the aluminum oxide film to avoid a problem that a metal element in the self-aligning film is captured by oxygen on the surface of the oxide film making it impossible for the initial self-aligning property to be developed.
(FR)La présente invention concerne un film mince d'oxyde d'aluminium d'une épaisseur maximum de 10 nm qui est formée entre un film à alignement automatique formé sous une électrode inférieure dans un condensateur ferroélectrique et une prise électriquement conductrice sous le film à alignement automatique pour bloquer l'influence d'alignement des grains de cristaux dans la prise électriquement conductrice sur le film à alignement automatique. Ensuite, un film mince de nitrure est formé sur le film d'oxyde d'aluminium pour éviter qu'un élément métallique dans le film à alignement automatique soit capturé par l'oxygène sur la surface du film d'oxyde, rendant impossible la propriété initiale d'alignement automatique à développer.
(JA) 強誘電体キャパシタの下部電極下に形成される自己配向膜と、その下の導電性プラグとの間に、厚さが10nm以下の薄い酸化アルミニウム膜を形成し、前記自己配向膜に対する導電性プラグ中の結晶粒の配向の影響を遮断し、さらに前記酸化アルミニウム膜上に薄い窒化膜を形成し、自己配向膜中の金属元素が酸化膜表面の酸素に捕獲されて初期の自己配向性が発現しなくなる問題を回避する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)