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1. (WO2007026889) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、これに用いられる誘電体窓及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/026889    国際出願番号:    PCT/JP2006/317371
国際公開日: 08.03.2007 国際出願日: 01.09.2006
IPC:
H05H 1/46 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKUMURA, Tomohiro; (米国のみ).
ITO, Hiroyuki; (米国のみ).
SASAKI, Yuichiro; (米国のみ).
OKASHITA, Katsumi; (米国のみ).
MIZUNO, Bunji; (米国のみ).
NAKAYAMA, Ichiro; (米国のみ).
OKITA, Shogo; (米国のみ).
NAGAI, Hisao; (米国のみ)
発明者: OKUMURA, Tomohiro; .
ITO, Hiroyuki; .
SASAKI, Yuichiro; .
OKASHITA, Katsumi; .
MIZUNO, Bunji; .
NAKAYAMA, Ichiro; .
OKITA, Shogo; .
NAGAI, Hisao;
代理人: ICHIKAWA, Toshimitsu; Eikoh Patent Office, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2005-254003 01.09.2005 JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING EQUIPMENT, PLASMA PROCESSING METHOD, DIELECTRIC WINDOW FOR USE THEREIN AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) ÉQUIPEMENT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA, FENÊTRE DIÉLECTRIQUE POUR UNE UTILISATION DANS CEUX-CI ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、これに用いられる誘電体窓及びその製造方法
要約: front page image
(EN)Plasma doping exhibiting excellent uniformity is achieved. While a predetermined gas is introduced into a vacuum container (1) from gas supply units (2, 16), the vacuum container (1) is evacuated through an exhaust opening (11) by means of a turbo molecular pump (3) as an exhauster and a predetermined pressure in sustained in the vacuum container (1) by means of a pressure regulation valve (4). Induction coupling plasma is generated in the vacuum container (1) by supplying high frequency power of 13.56 MHz from a high frequency power supply (5) to a coil (8) provided in proximity of a dielectric window (7) opposing a sample electrode (6). The dielectric window (7) consists of a plurality of dielectric plates and a groove is formed in at least one side of at least two dielectric plates opposing each other. A gas channel is formed by the groove and the opposing flat surfaces thereof, and gas supply openings (15, 19) provided in a dielectric plate closest to the sample electrode are allowed to communicate with the groove in the dielectric window. Flow rate of gas introduced from the gas supply openings (15, 19) can be controlled independently and uniformity of processing can be enhanced.
(FR)La présente invention concerne un dopage au plasma montrant une excellente uniformité. Tandis qu'un gaz prédéterminé est introduit dans un récipient sous vide (1) à partir d'unités d'alimentation en gaz (2, 16), le récipient sous vide (1) est vidé par l'intermédiaire d'une ouverture d'évacuation (11) au moyen d'une pompe turbomoléculaire (3) formant dispositif d'évacuation et une pression prédéterminée est maintenue dans le récipient sous vide (1) au moyen d'une soupape de régulation de pression (4). Un plasma à couplage inductif est généré dans le récipient sous vide (1) en fournissant une puissance haute fréquence de 13,56 MHz à partir d'une alimentation en puissance haute fréquence (5) vers une bobine (8) se trouvant à proximité d'une fenêtre diélectrique (7) opposée à une électrode échantillon (6). La fenêtre diélectrique (7) consiste en une pluralité de plaques diélectriques et une rainure est formée dans au moins un côté d'au moins deux plaques diélectriques se faisant face. Un canal de gaz est formé par la rainure et les surfaces plates opposées de celle-ci, et des ouvertures d'alimentation en gaz (15, 19) formées dans une plaque diélectrique plus près de l'électrode échantillon peuvent communiquer avec la rainure dans la fenêtre diélectrique. Le débit du gaz introduit à partir des ouvertures d'alimentation en gaz (15, 19) peut être contrôlé indépendamment et l'uniformité du traitement peut être améliorée.
(JA) 均一性に優れたプラズマドーピングを実現する。 真空容器1内に、ガス供給装置2及び16から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気口11を介して排気を行い、調圧弁4により真空容器1内を所定の圧力に保つ。高周波電源5により13.56MHzの高周波電力を試料電極6に対向した誘電体窓7の近傍に設けられたコイル8に供給することにより、真空容器1内に誘導結合型プラズマを発生させるもので、誘電体窓7が複数の誘電板から構成され、少なくとも相対向する2枚の誘電板の少なくとも片面に溝が形成され、前記溝と前記溝の対向する平坦面とでガス流路を構成するとともに、試料電極に最も近い誘電板に設けられたガス吹き出し口15,19が誘電体窓内で溝に連通されている。ガス吹き出し口15及び19から導入されるガスの流量を、独立に制御することができ、処理の均一性を高めることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)