WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2007026876) 薄膜作製装置及び薄膜作製方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/026876    国際出願番号:    PCT/JP2006/317335
国際公開日: 08.03.2007 国際出願日: 01.09.2006
IPC:
C23C 16/34 (2006.01), H01L 21/203 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01)
出願人: PHYZCHEMIX CORPORATION [JP/JP]; ATT East 11F, 17-22, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo, 107-0052 (JP) (米国を除く全ての指定国).
JUN, Keeyoung [KR/JP]; (JP) (米国のみ).
OOBA, Yoshiyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAKAMOTO, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OGURA, Yuzuru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SEKINE, Takayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: JUN, Keeyoung; (JP).
OOBA, Yoshiyuki; (JP).
SAKAMOTO, Hitoshi; (JP).
OGURA, Yuzuru; (JP).
SEKINE, Takayuki; (JP)
代理人: KURIHARA, Hiroyuki; Kurihara International Patent Office Iwasaki Bldg. 6F 3-15, Hiroo 1-chome Shibuya-ku, Tokyo 1500012 (JP)
優先権情報:
2005-254156 01.09.2005 JP
発明の名称: (EN) THIN LAYER FORMATION EQUIPMENT AND PROCESS FOR FORMATION OF THIN LAYERS
(FR) EQUIPEMENT POUR LA FORMATION DE COUCHES FINES ET PROCEDE DE FORMATION DE COUCHES FINES
(JA) 薄膜作製装置及び薄膜作製方法
要約: front page image
(EN)A thin AlN layer can be formed without fail under low-temperature conditions by a process which comprises feeding a chlorine -containing working gas (17) into a chamber (1), forming NH2 which is a compound composed of nitrogen and hydrogen, etching an Al member (11) to be etched with chlorine radicals under the conditions of enhanced internal pressure of the chamber (1) and prolonged residence time to form a precursor AlCl3 from Al contained in the member (11) and Cl with the conversion of the AlX3 into an intermediate AlX2, and depositing AlN formed by the reaction between the NH2 and the AlX2 on a substrate (3).
(FR)L’invention concerne un procédé de formation d’une couche fine d’AlN avec succès à basse température, ledit procédé comprenant l’introduction d’un gaz de travail contenant du chlore (17) dans une chambre (1), la formation de NH2, composé d'azote et d'hydrogène, le décapage d'un élément en Al (11) à décaper avec des radicaux de chlore dans des conditions de pression interne accrue dans la chambre (1) et de temps de séjour prolongé pour former un précurseur d’AlCl3 à partir de l’Al contenu dans l’élément (11) et de Cl, la conversion de l’AlX3 en un AlX2 intermédiaire, et le dépôt de l’AlN formé par la réaction entre NH2 et AlX2 sur un substrat (3).
(JA) 塩素を含有する作用ガス17をチャンバ1内に供給し、窒素と水素の化合物であるNHを生成し、チャンバ1内の圧力を高くして滞留時間を長くし、塩素ラジカルによりAl製の被エッチング部材11をエッチングして被エッチング部材に含まれるAl成分とハロゲンClとからなる前駆体AlClを生成し、前駆体AlXからAlXの中間体生成する一方、NHとAlXの反応により生じたAlN成分を基板3側に成膜させ、AlNの薄膜を低温の環境下で確実に作製する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)