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1. (WO2007026862) 研磨用組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/026862    国際出願番号:    PCT/JP2006/317305
国際公開日: 08.03.2007 国際出願日: 01.09.2006
IPC:
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/00 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01)
出願人: FUJIMI INCORPORATED [JP/JP]; 1-1, Chiryo 2-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528502 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OH, Junhui [KR/JP]; (JP) (米国のみ).
ASANO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HORI, Katsunobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OH, Junhui; (JP).
ASANO, Hiroshi; (JP).
HORI, Katsunobu; (JP)
代理人: ONDA, Hironori; 12-1, Ohmiya-cho 2-chome, Gifu-shi, Gifu 5008731 (JP)
優先権情報:
2005-255535 02.09.2005 JP
発明の名称: (EN) POLISHING COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE
(JA) 研磨用組成物
要約: front page image
(EN)Disclosed is a polishing composition containing a protective film-forming agent, an oxidizing agent and an etching agent. The protective film-forming agent contains at least one compound selected from selected from benzotriazoles and benzotriazole derivatives, and at least one compound selected from the compounds represented by the following general formula: ROR’COOH and the following general formula: ROR’OPO3H2 (wherein R represents an alkyl group or an alkylphenyl group, and R’ represents a polyoxyethylene group, a polyoxypropylene group or a poly(oxyethylene-oxypropylene) group). The pH of the polishing composition is not less than 8. This polishing composition can be suitably used in polishing performed for forming wiring in a semiconductor device.
(FR)L’invention concerne une composition de polissage contenant un agent formant un film protecteur, un oxydant et un décapant. L'agent formant un film protecteur contient au moins un composé choisi parmi les benzotriazoles et les dérivés de benzotriazole, et au moins un composé choisi parmi les composés représentés par la formule générale suivante : ROR’COOH et la formule générale suivante : ROR’OPO3H2 (dans laquelle R représente un groupe alkyle ou un groupe alkylphényle, et R’ représente un groupe polyoxyéthylène, un groupe polyoxypropylène ou un groupe poly(oxyéthylène-oxypropylène)). Le pH de la composition de polissage est d’au moins 8. Cette composition de polissage peut être adaptée à une utilisation pour le polissage effectué pour former le câblage dans un dispositif à semi-conducteur.
(JA) 研磨用組成物は、保護膜形成剤と、酸化剤と、エッチング剤とを含有する。前記保護膜形成剤は、ベンゾトリアゾール及びベンゾトリアゾール誘導体から選ばれる少なくとも一種の化合物と、一般式ROR’COOH及び一般式ROR’OPO(Rはアルキル基又はアルキルフェニル基を表し、R’はポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基又はポリ(オキシエチレン・オキシプロピレン)基を表す。)で表される化合物から選ばれる少なくとも一種の化合物とを含む。研磨用組成物のpHは8以上である。研磨用組成物は、半導体デバイスの配線を形成するための研磨で好適に使用可能である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)