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1. (WO2007026779) 半導体測距素子及び固体撮像装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/026779    国際出願番号:    PCT/JP2006/317131
国際公開日: 08.03.2007 国際出願日: 30.08.2006
IPC:
G01S 17/10 (2006.01), G01S 17/89 (2006.01), G01C 3/06 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
出願人: National University Corporation Shizuoka University [JP/JP]; 836, Ohya, Suruga-ku, Shizuoka-shi, Shizuoka 4228529 (JP) (米国を除く全ての指定国).
Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka, 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAWAHITO, Shoji; (米国のみ).
HOMMA, Mitsuru; (米国のみ)
発明者: KAWAHITO, Shoji; .
HOMMA, Mitsuru;
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2005-250298 30.08.2005 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DISTANCE MEASURING ELEMENT AND SOLID STATE IMAGING DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE MESURE DE DISTANCE SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D’IMAGERIE À L’ÉTAT SOLIDE
(JA) 半導体測距素子及び固体撮像装置
要約: front page image
(EN)In order to transfer signal charges generated by a semiconductor photoelectric conversion element in opposite directions, the center line of a first transfer gate electrode (16a) and that of a second transfer gate electrode (16b) are arranged on the same straight line and a U-shaped first discharge gate electrode (12a) and a second discharge gate electrode (12b) are arranged to oppose to each other. The first discharge gate electrode (12a) discharges a background light charge generated by a background light in the electric charge generation region and the second discharge gate electrode (12b) discharges a background light charge generated by a background light in the electric charge generation region. The background light charge discharged by the first discharge gate electrode (12a) is received by a first discharge drain region (21a) and the background light charge discharged by the second discharge gate electrode (12b) is received by a second discharge drain region (21b).
(FR)Afin de transférer des charges de signal générées par un élément de conversion photoélectrique semi-conducteur dans des directions opposées, la ligne centrale d’une première électrode de gâchette de transfert (16a) et celle d’une seconde électrode de gâchette de transfert (16b) sont disposées sur la même ligne droite et une première électrode de gâchette de décharge en forme de U (12a) et une seconde électrode de gâchette de décharge (12b) sont disposées de façon à être opposées l'une à l'autre. La première électrode de gâchette de décharge (12a) décharge une charge lumineuse de fond générée par une lumière de fond dans la zone de génération de charge électrique et la seconde électrode de gâchette de décharge (12b) décharge une charge lumineuse de fond générée par une lumière de fond dans la zone de génération de charge électrique. La charge de lumière de fond générée par la première électrode de gâchette de décharge (12a) est reçue par une première zone de drain de décharge (21a) et la charge de lumière de fond générée par la seconde électrode de gâchette de décharge (12b) est reçue par une seconde zone de drain de décharge (21b).
(JA) 半導体光電変換素子が生成した信号電荷が互いに反対方向に転送されるように、第1転送ゲート電極(16a)と第2転送ゲート電極(16b)のそれぞれの中心線が同一直線上に配置され、信号電荷の転送方向に沿って、コの字型の第1排出ゲート電極(12a)と第2排出ゲート電極(12b)とが対向配置される。第1排出ゲート電極(12a)は、背景光が電荷生成領域で生成した背景光電荷を排出し、第2排出ゲート電極(12b)は、背景光が電荷生成領域で生成した背景光電荷を排出する。第1排出ゲート電極(12a)により排出された背景光電荷は、第1排出ドレイン領域(21a)に受け入れられ、第2排出ゲート電極(12b)により排出された背景光電荷は、第2排出ドレイン領域(21b)に受け入れられる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)