WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2007026723) 投影マスク、レーザ加工方法、レーザ加工装置および薄膜トランジスタ素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/026723    国際出願番号:    PCT/JP2006/317019
国際公開日: 08.03.2007 国際出願日: 29.08.2006
IPC:
H01L 21/268 (2006.01), G02F 1/1368 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAYAMA, Junichiro; (米国のみ).
TSUNASAWA, Hiroshi; (米国のみ).
ITSUMI, Ikumi; (米国のみ).
MAEKAWA, Masashi; (米国のみ)
発明者: NAKAYAMA, Junichiro; .
TSUNASAWA, Hiroshi; .
ITSUMI, Ikumi; .
MAEKAWA, Masashi;
代理人: SAIKYO, Keiichiro; Shikishima Building 2-6, Bingomachi 3-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410051 (JP)
優先権情報:
2005-248456 29.08.2005 JP
2005-334880 18.11.2005 JP
発明の名称: (EN) PROJECTION MASK, LASER MACHINING METHOD, LASER MACHINING DEVICE, AND THIN FILM TRANSISTOR ELEMENT
(FR) MASQUE DE PROJECTION, PROCÉDÉ D'USINAGE LASER DISPOSITIF D'USINAGE LASER ET ELEMENT TRANSISTOR A FILM MINCE
(JA) 投影マスク、レーザ加工方法、レーザ加工装置および薄膜トランジスタ素子
要約: front page image
(EN)There are provided a projection mask, a laser machining method, and a laser machining device capable of uniformly crystallizing an object irradiated and a thin film transistor element capable of obtaining uniform electric characteristic of TFT elements formed on the object irradiated. In a projection mask (25), a first light transmitting pattern (25a) is formed in a first and a fourth block (BA, BD) and a second light transmitting pattern (25b) are formed in a second and a third block (BB, BC). In the projection mask (25), the first block (BA), the second block (BB), the third block (BC), and the fourth block (BD) are arranged in this order. A laser beam (31) emitted from a light source (21) is applied to the projection mask (25) and the laser beam which has passed through the first and the second light transmitting pattern (25a, 25b) is applied to a semiconductor film (37).
(FR)L'invention porte sur un masque de projection, un procédé d'usinage laser, un dispositif d'usinage laser capable de cristalliser de manière uniforme un objet irradié et un élément transistor à film mince capable d’obtenir une caractéristique électrique uniforme d’éléments TFT formés sur l’objet irradié. Dans un masque de projection (25), un premier motif de transmission de lumière (25a) est formé dans un premier bloc et un quatrième bloc (BA, BD) et un second motif de transmission de lumière (25b) est formé dans un deuxième bloc et un troisième bloc (BB, BC). Dans le masque de projection (25), le premier bloc (BA), le deuxième bloc (BB), le troisième bloc (BC) et le quatrième bloc (BD) sont disposés dans cet ordre. Un faisceau laser (31) émis à partir d’une source de lumière (21) est appliqué au masque de projection (25) et le faisceau laser ayant passé à travers le premier motif de transmission de lumière et le second motif de transmission de lumière (25a, 25b) est appliqué à un film semi-conducteur (37).
(JA) 照射対象物を均一に結晶化させることができる投影マスク、レーザ加工方法およびレーザ加工装置を提供するとともに、照射対象物に形成したときの電気的特性を均一にすることができる薄膜トランジスタ素子が提供される。第1および第4ブロックBA,BDに第1光透過パターン25aが形成され、第2および第3ブロックBB,BCに第2光透過パターン25bが形成される投影マスク25であって、第1ブロックBA、第2ブロックBB、第3ブロックBCおよび第4ブロックBDの順に並べて配設される投影マスク25に、光源21から発せられるレーザ光31を照射し、前記第1および第2光透過パターン25a,25bを透過したレーザ光を半導体膜37に照射する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)