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1. (WO2007026429) 半導体装置及びその製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/026429    国際出願番号:    PCT/JP2005/015942
国際公開日: 08.03.2007 国際出願日: 31.08.2005
H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
WANG, Wensheng [CN/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: WANG, Wensheng; (JP)
代理人: OKAMOTO, Keizo; OKAMOTO PATENT OFFICE Yamanishi Bldg, 4F 11-7, Nihonbashi Ningyo-cho 3-chome Chuo-ku, Tokyo 1030013 (JP)
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a highly reliable semiconductor device having a capacitor that comprises a ferroelectric or high-k dielectric film with a good crystallinity and has a large amount of switching charge and capable of operating at a low voltage; and a fabrication method of the semiconductor device. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] After forming transistors (T1, T2) on a semiconductor substrate (110), a stopper layer (120) and an interlayer insulating film (121) are formed. Then, contact holes are formed in the interlayer insulating film (121), and a copper film is formed on the interlayer insulating film (121) to fill the contact holes with copper. After that, the copper film on the interlayer insulating film (121) is removed by a low pressure CMP process or an ECMP process to planarize the surface and to form plugs (124a, 124b). Subsequently, a barrier metal (125), a lower electrode (126a), a ferroelectric film (127), and an upper electrode (128a) are formed. A semiconductor device (FeRAM) having a ferroelectric capacitor (130) is thus formed.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur à haute fiabilité comportant un condensateur qui comprend une pellicule ferroélectrique ou une pellicule diélectrique à constante k élevée présentant une bonne cristallinité et possédant un fort taux de charge de commutation et capable de fonctionner à basse tension ; et un procédé de fabrication du dispositif semi-conducteur. Après avoir mis en place des transistors (T1, T2) sur un substrat semi-conducteur (110), une couche tampon (120) et une pellicule isolante intercouche (121) sont disposées. Des trous de contact sont ensuite percés dans la pellicule isolante intercouche (121) et une pellicule de cuivre est disposée sur la pellicule isolante intercouche (121) afin de remplir les trous de contact de cuivre. Après cela, la pellicule de cuivre sur la pellicule isolante intercouche (121) est retirée par un processus de CMP à basse pression ou un processus ECMP pour aplanir la surface et créer des broches (124a, 124b). Un métal écran (125), une électrode inférieure (126a), une pellicule ferroélectrique (127), et une électrode supérieure (128a) sont ensuite disposés. Cela permet d’obtenir un dispositif semi-conducteur (FeRAM) comportant un condensateur ferroélectrique (130).
(JA)【課題】キャパシタの誘電体膜を構成する強誘電体又は高誘電体の結晶性が良好であり、キャパシタのスイッチング電荷量が高く、低電圧動作が可能で信頼性が高い半導体装置及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】半導体基板110にトランジスタT1、T2を形成した後、ストッパ層120及び層間絶縁膜121を形成する。そして、層間絶縁膜121にコンタクトホールを形成し、層間絶縁膜121上に銅膜を形成してコンタクトホール内に銅を埋め込む。その後、低圧CMP研磨又はECMP研磨により層間絶縁膜121上の銅膜を除去して表面を平坦化し、プラグ124a,124bを形成する。次いで、バリアメタル125、下部電極126a、強誘電体膜127及び上部電極128aを形成する。このようにして、強誘電体キャパシタ130を有する半導体装置(FeRAM)が形成される。                                                                                 
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)