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1. (WO2007023950) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/023950    国際出願番号:    PCT/JP2006/316739
国際公開日: 01.03.2007 国際出願日: 25.08.2006
IPC:
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01)
出願人: HITACHI, LTD. [JP/JP]; 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HONDA MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Minami-Aoyama 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1078556 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAITO, Toshio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OTAGURO, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OTAKE, Manabu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAHIRA, Yoshiya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KATAGIRI, Namio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MIYAKAWA, Nobuaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAITO, Toshio; (JP).
OTAGURO, Akira; (JP).
OTAKE, Manabu; (JP).
TAKAHIRA, Yoshiya; (JP).
KATAGIRI, Namio; (JP).
MIYAKAWA, Nobuaki; (JP)
代理人: TSUTSUI, Yamato; Tsutsui & Associates, 6th Floor Kokusai Chusei Kaikan 14, Gobancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020076 (JP)
優先権情報:
2005-245554 26.08.2005 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)At the time of embedding a tungsten film (43) in a high aspect ratio conductive groove (4A) formed on a wafer (W2) and a silicon oxide film (36) on an upper section of the wafer, film formation and etch back of the tungsten film (43) are continuously performed in a chamber of a same apparatus, and a film thickness of the tungsten film (43) deposited in film forming step of one time is reduced. Thus, problems such as peeling and microcracks of the tungsten film (43) and warping and breakage of the wafer (W2) are eliminated.
(FR)Selon la présente invention, au moment d'enrober un film de tungstène (43) dans une cannelure conductrice ayant un rapport d’aspect élevé (4A) formée sur une galette (W2) et un film d’oxyde de silicium (36) sur une section supérieure de la galette, la formation d’un film et la gravure du film de tungstène (43) sont réalisées en continu dans une chambre d'un même appareil, et l’épaisseur de film du film de tungstène (43) déposé lors de l’étape de formation du film en une fois est réduite. Ainsi, des problèmes tels que le pelage et les microfissures du film de tungstène (43) et la déformation et la rupture de la galette (W2) sont éliminés.
(JA) ウエハ(W2)とその上部の酸化シリコン膜(36)とに形成された高アスペクト比の導電溝(4A)の内部にタングステン膜(43)を埋め込む際、同一装置のチャンバ内でタングステン膜(43)の成膜とエッチバックを連続して行い、1回の成膜工程で堆積するタングステン膜(43)の膜厚を薄くすることにより、タングステン膜(43)の剥離やマイクロクラックの発生、およびウエハ(W2)の反りや割れの発生といった問題を回避する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)