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1. (WO2007023845) モノリシック型半導体レーザ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/023845    国際出願番号:    PCT/JP2006/316476
国際公開日: 01.03.2007 国際出願日: 23.08.2006
IPC:
H01S 5/22 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TANABE, Tetsuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TANABE, Tetsuhiro; (JP)
代理人: KAWAMURA, Kiyoshi; KAWAMURA & CO. Shinei Bldg. 6E 5-1, Nishinakajima4-chome, Yodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
優先権情報:
2005-242327 24.08.2005 JP
発明の名称: (EN) MONOLITHIC SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER SEMI-CONDUCTEUR MONOLITHIQUE
(JA) モノリシック型半導体レーザ
要約: front page image
(EN)An infrared element (10a) at least includes a light emission layer formation section (9a) formed by, for example, a first conductive clad layer (2a) for infrared light, an active layer (3a), and a second conductive clad layer (4a). A red element at least includes a light emission layer formation section (9b) formed by, for example, a first conductive clad layer (2b) for red light, an active layer (3b), and a second conductive clad layer (4b). The infrared element (10a) and the red element are formed on the same semiconductor substrate (1) and their second conductive clad layers (4a, 4b) are formed by the same material. As a result, a ridge formation process may be shared and they can have a window structure capable of high output operation for both of the elements.
(FR)Un élément infrarouge (10a) comprend au moins une section formant une couche émettrice de lumière (9a) constituée, par exemple, d’une première couche de revêtement conductrice (2a) pour la lumière infrarouge, d’une couche active (3a) et d’une seconde couche de revêtement conductrice (4a). Un élément rouge comprend au moins une section formant une couche émettrice de lumière (9b) constituée, par exemple, d’une première couche de revêtement conductrice (2b) pour la lumière rouge, d’une couche active (3b) et d’une seconde couche de revêtement conductrice (4b). L’élément infrarouge (10a) et l’élément rouge sont disposés sur le même substrat semi-conducteur (1) et leurs secondes couches de revêtement conductrices (4a, 4b) sont constituées du même matériau. Il est par conséquent possible de partager un processus de formation de saillie leur conférant une structure en fenêtre capable de fonctionner avec un rendement élevé pour les deux éléments.
(JA) 半導体基板(1)上に、たとえば赤外光用の第1導電形クラッド層(2a)、活性層(3a)、第2導電形クラッド層(4a)を有する赤外光用の発光層形成部(9a)が少なくとも形成された赤外素子(10a)と、赤色光用の第1導電形クラッド層(2b)、活性層(3b)、第2導電形クラッド層(4b)を有する赤色光用の発光層形成部(9b)が少なくとも形成された赤色素子とが同一の半導体基板面(1)上に形成され、かつ、それぞれの第2導電形クラッド層(4a、4b)が同一材料で形成されている。その結果、リッジ形成プロセスを共通化でき、また、両素子共に高出力動作が可能な窓構造を有する構造にすることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)