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1. (WO2007023722) GaxIn1-xN(0≦x≦1)結晶の製造方法、GaxIn1-xN(0≦x≦1)結晶基板、GaN結晶の製造方法、GaN結晶基板および製品
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/023722    国際出願番号:    PCT/JP2006/316142
国際公開日: 01.03.2007 国際出願日: 17.08.2006
IPC:
C30B 29/38 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/46 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
UEMURA, Tomoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUJIWARA, Shinsuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKAHISA, Takuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIROTA, Ryu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAHATA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: UEMURA, Tomoki; (JP).
FUJIWARA, Shinsuke; (JP).
OKAHISA, Takuji; (JP).
HIROTA, Ryu; (JP).
NAKAHATA, Hideaki; (JP)
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office, Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
優先権情報:
2005-244328 25.08.2005 JP
2006-135212 15.05.2006 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCTION OF GaxIn1-xN (0≤x≤1) CRYSTAL, GaxIn1-xN (0≤x≤1) CRYSTAL SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCTION OF GaN CRYSTAL, GaN CRYSTAL SUBSTRATE AND PRODUCT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CRISTAL DE GaxIn1-xN (0 ≤ x ≤ 1), SUBSTRAT DE CRISTAL DE GaxIn1-xN (0 ≤ x ≤ 1), PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CRISTAL DE GaN, SUBSTRAT DE CRISTAL DE GaN ET PRODUIT
(JA) GaxIn1-xN(0≦x≦1)結晶の製造方法、GaxIn1-xN(0≦x≦1)結晶基板、GaN結晶の製造方法、GaN結晶基板および製品
要約: front page image
(EN)In the conventional GaN crystal production method using HVPE process, there is a possibility of improving the crystallizing property of a GaN crystal by conducting the method at a temperature higher than 1100˚C. However, the method has a problem that a quartz reaction tube (1) could be melt when the heating with heaters (5) and (6) is conducted at a temperature higher than 1100˚C. Thus, provided is a method for production of a GaxIn1-xN (0≤x≤1) crystal (12) comprising the step of reacting a raw gas comprising at least one of a halogenated gallium gas and a halogenated indium gas and an ammonium gas in a quartz reaction tube (1) to make grow the GaxIn1-xN (0≤x≤1) crystal (12) on the surface of a substrate (7), wherein the quartz reaction tube (1) is externally heated during making grow the the GaxIn1-xN (0≤x≤1) crystal (12) and the substrate (7) is also heated separately.
(FR)Dans le procédé conventionnel de production de cristaux de GaN qui utilise un processus HVPE (épitaxie en phase vapeur aux hydrures), il est possible d'améliorer la propriété de cristallisation d'un cristal de GaN en réalisant le procédé à une température de plus de 1100 °C. Il existe cependant un risque de fusion d'un tube de réaction en quartz (1) lorsque les éléments chauffants (5) et (6) élèvent la température au-dessus de 1100 °C. La solution proposée est un procédé de production d'un cristal de GaxIn1-xN (0 ≤ x ≤ 1) (12) qui inclut une étape de réaction d'un gaz brut comprenant soit un gaz de gallium halogéné, soit un gaz d'indium halogéné, ou bien les deux, et un gaz d'ammonium dans un tube de réaction en quartz (1) pour faire croître le cristal de GaxIn1-xN (0 ≤ x ≤ 1) (12) sur la surface d'un substrat (7), le tube de réaction en quartz (1) étant chauffé de manière externe durant la croissance du cristal de GaxIn1-xN (0 ≤ x ≤ 1) (12) et le substrat (7) étant lui aussi chauffé séparément.
(JA)not available
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)