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1. (WO2007023614) 半導体製造装置,半導体製造装置の流量補正方法,プログラム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/023614    国際出願番号:    PCT/JP2006/312863
国際公開日: 01.03.2007 国際出願日: 28.06.2006
IPC:
H01L 21/324 (2006.01), G01F 1/00 (2006.01), G05D 7/06 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MORIYA, Shuji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKABE, Tsuneyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
EBI, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMIZU, Tetsuo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KITAGAWA, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MORIYA, Shuji; (JP).
OKABE, Tsuneyuki; (JP).
EBI, Hiroyuki; (JP).
SHIMIZU, Tetsuo; (JP).
KITAGAWA, Hitoshi; (JP)
代理人: OHYAMA, Hiroaki; Reo Akasaka Bldg. 5A, 2-14, Akasaka 6-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
優先権情報:
2005-243970 25.08.2005 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR FABRICATION SYSTEM, AND FLOW RATE CORRECTION METHOD AND PROGRAM FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION SYSTEM
(FR) SYSTEME DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCECE DE CORRECTION DE DEBIT ET PROGRAMME POUR SYSTEME DE FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体製造装置,半導体製造装置の流量補正方法,プログラム
要約: front page image
(EN)Zero shift amount based on thermal siphon phenomenon occurring actually when a substrate is processed is detected accurately and corrected suitably. The semiconductor fabrication system comprises a gas supply passage (210) for supplying gas into a heat treatment section (110), an MFC (240) for comparing an output voltage from a detecting section for detecting the gas flow rate of the gas supply passage with a set voltage corresponding to a preset flow rate and controlling the gas flow rate of the gas supply passage to the set flow rate, and a control section (300). The control section replaces gas in the MFC by gas which is to be used at least for processing a substrate before the substrate is processed, detects the output voltage from the MFC under a state where valves (230, 250) provided in the upstream and the downstream of the MFC are closed and stores the detected output voltage in a storage means, corrects the set voltage corresponding to the flow rate of gas to be used for processing the substrate based on the output voltage from the MFC stored in the storage means at the time of processing the substrate, and sets the corrected set voltage in the MFC.
(FR)L’invention concerne la détection précise et la correction ad hoc de toute quantité de décalage du zéro sur un phénomène de siphon thermique se produisant pendant le traitement d’un substrat. Le système de fabrication de semi-conducteur comprend un passage d'arrivée de gaz (210) permettant d'injecter du gaz dans une section de traitement thermique (110), un MFC (240) permettant de comparer une tension de sortie à partir d’une section de détection permettant de détecter le débit de gaz du passage d'arrivée de gaz à une tension définie correspondant à un débit prédéfini et de réguler le débit de gaz du passage d'arrivée de gaz selon le débit défini, et une section de commande (300). La section de commande remplace le gaz dans le MFC par du gaz devant servir au moins au traitement d’un substrat avant le traitement du substrat, détecte la tension de sortie à partir du MFC lorsque les soupapes (230, 250) disposées en amont et en aval du MFC sont fermées et stocke la tension de sortie détectée dans un moyen de stockage, corrige la tension définie correspondant au débit de gaz devant servir au traitement du substrat en fonction de la tension de sortie à partir du MFC stockée dans le moyen de stockage lors du traitement du substrat, et règle la tension définie corrigée dans le MFC.
(JA) 基板処理時に実際に生じ得るサーマルサイフォン現象に基づくゼロ点シフト量を正確に検出して的確な補正をする。  熱処理部110内にガスを供給するガス供給路210と,ガス供給路のガス流量を検出する検出部からの出力電圧と予め設定された設定流量に対応する設定電圧とを比較して,ガス供給路のガス流量が設定流量になるように制御するMFC240と,制御部300とを備え,制御部は,基板処理を実行する前に予め,MFC内を少なくとも基板処理時に使用するガスで置換してMFCの上流側と下流側に設けられる遮断弁230,250を閉じた状態でMFCからの出力電圧を検出して記憶手段に記憶しておき,基板処理を実行する際には基板処理時に使用するガスのガス流量に対応する設定電圧を記憶手段に記憶されたMFCの出力電圧に基づいて補正し,補正した設定電圧をMFCに設定する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)