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1. (WO2007010935) フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/010935    国際出願番号:    PCT/JP2006/314258
国際公開日: 25.01.2007 国際出願日: 19.07.2006
IPC:
C23C 14/06 (2006.01), G03F 1/00 (2012.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOPPAN PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 1-5-1, Taito, Taito-ku, Tokyo 1108560 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOSHIKAWA, Hiroki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KUBOTA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KINASE, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKAZAKI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MARUYAMA, Tamotsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HARAGUCHI, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IWAKATA, Masahide [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKUSHIMA, Yuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAGA, Tadashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YOSHIKAWA, Hiroki; (JP).
KUBOTA, Hiroshi; (JP).
KINASE, Yoshinori; (JP).
OKAZAKI, Satoshi; (JP).
MARUYAMA, Tamotsu; (JP).
HARAGUCHI, Takashi; (JP).
IWAKATA, Masahide; (JP).
FUKUSHIMA, Yuichi; (JP).
SAGA, Tadashi; (JP)
代理人: OHNO, Seiji; OHNO & PARTNERS, Kasumigaseki Building 36F, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1006036 (JP)
優先権情報:
2005-211941 21.07.2005 JP
2005-211942 21.07.2005 JP
発明の名称: (EN) PHOTO MASK BLANK, PHOTO MASK, AND THEIR FABRICATION METHOD
(FR) DÉCOUPES POUR MASQUE PHOTO, MASQUE PHOTO ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
要約: front page image
(EN)On one main surface of a transparent substrate (11) such as quartz as a photo mask substrate, a light shielding film (12) is arranged for exposure light. The light shielding film (12) is a so-called “light shielding film” and may also serve as a reflection preventing film. Moreover, the light shielding film has a film thickness not greater than 100 nm and is designed so that a film thickness of chrome-based compound having an optical density (OD) per unit film thickness for light having a wavelength of 450 nm is 0.025 nm-1 occupies 70% of the entire film thickness or above. When this photo mask blank is used for fabricating a mask for ArF exposure, the film thickness and composition are selected so that the optical density of the light shielding film (12) is within a range from 1.2 to 2.3 for the light having a wavelength of 193 nm or 248 nm.
(FR)La présente invention concerne un film pare-lumière (12) disposé pour la lumière d'exposition sur une surface principale d'un substrat transparent (11) tel que le quartz en tant que substrat de masque photo. Le film pare-lumière (12) est ce que l'on appelle un “film pare-lumière” et il peut également servir de film anti-réflexion. D'autre part, l'épaisseur du film pare-lumière ne dépasse pas 100 nm et le film est conçu de sorte qu'un composé à base de chrome ayant une densité optique (DO) de 0,025 nm-1 par unité d'épaisseur de film pour une lumière de 450 nm de longueur d'onde occupe 70 % ou plus de l'épaisseur du film entier. Lorsque cette découpe pour masque photo est utilisée pour la fabrication d'un masque pour exposition au ArF, l'épaisseur et la composition du film sont choisis de sorte que la densité optique du film pare-lumière (12) soit comprise entre 1,2 et 2,3 pour une lumière de 193 nm ou 248 nm de longueur d'onde.
(JA) フォトマスク基板としての石英などの透明基板(11)の一方主面上に、露光光に対する遮光性膜(12)が設けられている。この遮光性膜(12)は、いわゆる「遮光性膜」であることは勿論、反射防止膜をも兼ねる膜とすることができる。また、この遮光性膜の全体膜厚は100nm以下であり、波長450nmの光に対する単位膜厚当りの光学濃度(OD)が0.025nm-1以下のクロム系化合物の膜厚が、その全体膜厚の70%以上を占めるように設計されている。このフォトマスクブランクをArF露光用のマスク作製用とする場合には、遮光性膜(12)の光学濃度が、波長193nmまたは248nmの光に対して1.2~2.3の範囲の値となるように、その膜厚と組成が選択される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)