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1. (WO2007010921) 酸化膜の形成方法並びにその酸化膜を備えた半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/010921    国際出願番号:    PCT/JP2006/314232
国際公開日: 25.01.2007 国際出願日: 19.07.2006
予備審査請求日:    10.10.2006    
IPC:
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOBAYASHI, Hikaru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOBAYASHI, Hikaru; (JP)
代理人: KOUNO, Hiroaki; 7-5, Kinmeidaichuo, Yawata-shi Kyoto 6148295 (JP)
優先権情報:
2005-208133 19.07.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR OXIDE FILM FORMATION, SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THE OXIDE FILM, AND PROCESS FOR PRODUCING THE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE PELLICULE D'OXYDE, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT LA PELLICULE D’OXYDE ET PROCESSUS DE PRODUCTION DU DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 酸化膜の形成方法並びにその酸化膜を備えた半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a method for modifying a deposited oxide film on the surface of a semiconductor substrate to a high-quality and high-performance form. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A silicon dioxide film (2) was formed on a silicon substrate (1) to be treated. The silicon substrate (1) and the silicon dioxide film (2) are immersed, e.g., in an azeotropic nitric acid (boiling point 120.7ºC, concentration 68% by mass) (4) within a treatment tank (3) for about one hr, or exposed to an oxidizing vapor, whereby a silicon dioxide film having properties comparable favorably with properties of a silicon dioxide film formed by conventional high-temperature thermal oxidation can easily be formed on the surface of the silicon substrate (1).
(FR)La présente invention concerne un procédé de modification d'une pellicule d'oxyde déposée sur la surface d'un substrat semi-conducteur en une forme de haute qualité et d'excellentes caractéristiques. Une pellicule de dioxyde de silicium (2) a été déposée sur un substrat de silicium (1) à traiter. Le substrat de silicium (1) et la pellicule de dioxyde de silicium (2) sont immergés, par exemple, dans un acide nitrique azéotrope (point d’ébullition 120,7°C, concentration de 68% en masse) (4) à l’intérieur d’un réservoir de traitement (3) pendant environ une heure, ou exposés à une vapeur oxydante, ce qui permet d’obtenir à la surface du substrat de silicium (1) une pellicule de dioxyde de silicium présentant des propriétés favorablement comparables à une pellicule de dioxyde de silicium obtenue par une oxydation thermique conventionnelle à haute température.
(JA) 【課題】 半導体基板表面の堆積酸化膜を、高品質、高性能に改質する方法を提供する。  【解決手段】 被処理用シリコン基板1に二酸化シリコン膜2を形成して、その被処理用シリコン基板1および該二酸化シリコン膜2を処理槽3内の共沸硝酸(沸点120.7°C、濃度68質量%)4などに約1時間浸漬、あるいは酸化性の蒸気への曝露処理をする。これにより、該被処理用シリコン基板1の表面に、通常の高温熱酸化法で形成した二酸化シリコン膜の特性と遜色のない二酸化シリコン膜が容易に形成できる。  
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)