WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2007010798) スパッタリング装置、透明導電膜の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/010798    国際出願番号:    PCT/JP2006/313874
国際公開日: 25.01.2007 国際出願日: 12.07.2006
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/28 (2006.01)
出願人: ULVAC, INC. [JP/JP]; 2500 Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543 (JP) (米国を除く全ての指定国).
UKISHIMA, Sadayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKASAWA, Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKEI, Hideo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIBASHI, Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: UKISHIMA, Sadayuki; (JP).
TAKASAWA, Satoru; (JP).
TAKEI, Hideo; (JP).
ISHIBASHI, Satoru; (JP)
代理人: ISHIJIMA, Shigeo; Toranomonkougyou Bldg., 3F 1-2-18, Toranomon, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
優先権情報:
2005-208242 19.07.2005 JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING TRANSPARENT CONDUCTING FILM
(FR) APPAREIL DE PULVÉRISATION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
(JA) スパッタリング装置、透明導電膜の製造方法
要約: front page image
(EN)A transparent conducting film which has a low resistance value and a high transmittance and does not give damage to a lower layer organic EL film is formed. A shielding plate (31) is provided between a space, which is between first and second targets (21a, 21b) arranged in parallel at an interval, and a transfer path (14) of a subject (5) whereupon a film is to be formed, and sputtering particles passed through a discharge hole (32) formed on the shielding plate (31) are permitted to reach the subject (5). The sputtering particles diagonally entered are blocked by the shielding plate (31), and the low resistance and high transmittance transparent conducting film is formed.
(FR)La présente invention concerne la production d'un film conducteur transparent qui offre une faible valeur de résistance et une transmittance élevée et n'endommage pas un film électroluminescent organique de couche inférieure. Une plaque de protection (31) est placée entre un espace, formé entre une première et une seconde cible (21a, 21b) parallèles séparées par un intervalle, et une voie de transfert (14) d'un sujet (5) sur lequel un film doit être produit. En outre, des particules de pulvérisation passent au travers d'un orifice de libération (32) formé dans la plaque de protection (31) pour atteindre le sujet (5). Les particules de pulvérisation pénétrant en diagonale sont bloquées par la plaque de protection (31) et le film conducteur transparent à faible résistance et transmittance élevée est créé.
(JA) 抵抗値が小さく、透過率が高く、下層の有機EL膜にダメージを与えない透明導電膜を形成する。平行に間隔を開けて配置した第一、第二のターゲット21a、21bの隙間と、成膜対象物5の搬送経路14の間に遮蔽板31を設け、遮蔽板31に形成した放出孔32を通過したスパッタリング粒子を成膜対象物5に到達させる。斜めに入射するスパッタリング粒子が遮蔽板31によって遮蔽され、低比抵抗、高透過率の透明導電膜が形成される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)