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1. (WO2007010622) 多結晶シリコン基板及びその製造方法、並びに光電変換素子及び光電変換モジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/010622    国際出願番号:    PCT/JP2005/013506
国際公開日: 25.01.2007 国際出願日: 22.07.2005
IPC:
C01B 33/02 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
出願人: KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyo to 6128501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOSHIDA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NIIRA, Koichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKUI, Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIRASAWA, Katsuhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YOSHIDA, Yutaka; (JP).
NIIRA, Koichiro; (JP).
FUKUI, Kenji; (JP).
SHIRASAWA, Katsuhiko; (JP)
代理人: INAOKA, Kosaku; c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNEYS Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor 6-12, Minamihommachi 2-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) POLYCRYSTAL SILICON SUBSTRATE, FABRICATION METHOD THEREOF, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, AND PHOTOELECTRIC CONVERSION MODULE
(FR) SUBSTRAT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, ET MODULE DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 多結晶シリコン基板及びその製造方法、並びに光電変換素子及び光電変換モジュール
要約: front page image
(EN)A polycrystal silicon substrate for a photoelectric conversion element is subjected to analysis at 1000 degrees C by the Messbauer method using 57 Fe. When four components obtained from the high speed side by subjecting the obtained spectrum to waveform separation are defined I, II, III, and IV, the polycrystal silicon substrate has a region in which the peak intensities (heights) of the components satisfy III > II and III > I. The photoelectric conversion element obtained by using this polycrystal silicon substrate can have a high element characteristic.
(FR)La présente invention concerne un substrat de silicium polycristallin pour un élément de conversion photoélectrique qui est soumis à une analyse à 1000 degrés C par le procédé de Messbauer au moyen de 57 Fe. Lorsque quatre composants obtenus depuis le côté à grande vitesse en soumettant le spectre obtenu à une séparation de formes d’ondes sont définis I, II, III et IV, le substrat de silicium polycristallin présente une zone dans laquelle les intensités de pic (hauteurs) des composants satisfont III > II et III > I. L’élément de conversion photoélectrique obtenu en utilisant ce substrat de silicium polycristallin peut présenter des caractéristiques d’éléments élevées.
(JA) 光電変換素子用の多結晶シリコン基板であって、57Feを用いたメスバウア法で、1000°Cで分析したときに得られるスペクトルを波形分離して高速度側から順に現れた4つの成分をI、II、III、IVとしたとき、前記成分のピーク強度(高さ)が、III > II、及び、III > Iを満たす領域を基板中に有する多結晶シリコン基板。この多結晶シリコン基板を用いて得られる光電変換素子は、高い素子特性を有することが可能となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)