WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2007010621) フォトマスクパターンデータの作成方法、そのフォトマスクパターンデータを用いて作成されたフォトマスク、及び、そのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/010621    国際出願番号:    PCT/JP2005/013501
国際公開日: 25.01.2007 国際出願日: 22.07.2005
IPC:
G03F 1/36 (2012.01), G03F 1/68 (2012.01), G03F 1/70 (2012.01), G03F 7/20 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/82 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki- shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OSAWA, Morimi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MINAMI, Takayoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ASAI, Satoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OSAWA, Morimi; (JP).
MINAMI, Takayoshi; (JP).
ASAI, Satoru; (JP)
代理人: YOKOYAMA, Junichi; c/o FUJITSU LIMITED 1-1, Kamikodanaka 4-chome Nakahara-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2118588 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD OF PREPARING PHOTOMASK PATTERN DATA, PHOTOMASK PRODUCED BY USING THAT PHOTOMASK PATTERN DATA, AND METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THAT PHOTOMASK
(FR) PROCÉDÉ D’ÉLABORATION DE DONNÉES DE MOTIF DE PHOTOMASQUE, PHOTOMASQUE OBTENU EN UTILISANT DES DONNÉES DE MOTIF DE PHOTOMASQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LEDIT PHOTOMASQUE
(JA) フォトマスクパターンデータの作成方法、そのフォトマスクパターンデータを用いて作成されたフォトマスク、及び、そのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] A method of producing a photomask that optimizes a non-resolved auxiliary structure (sub-resolution-assist-feature) on a photomask in order to provide an optimum pattern miniaturization of a semiconductor device and the focal depth of the formed image of a photomask-circuit-forming pattern, and a method of producing a semiconductor device using that photomask. [MEANS OF SOLVING THE PROBLEMS] The method of producing a photomask characterized by comprising the steps of specifying the occurrence interval of main patterns occurring frequently, preparing data representing a non-resolved auxiliary structure so as to increase the density of the non-resolved auxiliary structure disposed between main patterns having the occurrence interval when the focal depth with respect to the main patterns having the occurrence interval is less than a specified value, and forming the mask patterns using data representing the main patterns and data representing the non-resolved auxiliary structure.
(FR)L’invention porte sur un procédé de fabrication de photomasque qui optimise une structure auxiliaire non résolue (caractéristique auxiliaire de sous-résolution) sur un photomasque pour constituer une miniaturisation de motif optimal d’un dispositif semi-conducteur et la profondeur focale de l’image formée d’un motif de formation de circuit de photomasque, et un procédé de fabrication d’un dispositif semi-conducteur à l’aide de ce photomasque. L’invention concerne un procédé d’élaboration d’un photomasque caractérisé en ce qu’il comprend les phases de précision de l’intervalle d’occurrence de motifs principaux se produisant fréquemment, d’élaboration de données représentant une structure auxiliaire non résolue de façon à augmenter la densité de la structure auxiliaire non résolue disposée entre des motifs principaux ayant l’intervalle d’occurrence lorsque la profondeur focale par rapport aux motifs principaux comportant l’intervalle d’occurrence est inférieure à une valeur spécifiée, et de formation des motifs de masque en utilisant les données représentant les motifs principaux et les données représentant la structure auxiliaire non résolue.
(JA)(課題)本発明は、半導体装置のパターンの微細化に好適とするため、フォトマスクの回路形成用パターンの結像の焦点深度がとれるように、フォトマスク上の未解像補助構造体(サブ・レゾリューション・アシスト・フィーチャ)を最適化するフォトマスクの製造方法、及び、そのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。 (解決手段)上記の課題を解決するため、本発明は、頻繁に出現する主パターンの頻出間隔を特定し、上記の頻出間隔を有する上記の主パターンに対する前記焦点深度が所定の値未満であるときには、上記の頻出間隔を有する上記の主パターン間に配置される未解像補助構造体の密度を向上するように、上記の未解像補助構造体を表すデータを作成し、上記の主パターンを表すデータと上記の未解像補助構造体を表すデータとを用いて前記マスクパターンを形成する工程を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法を提供する。                          
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)