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1. (WO2007010619) SIMOXウェーハの製造方法及びその方法で製造されたSIMOXウェーハ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/010619    国際出願番号:    PCT/JP2005/013498
国際公開日: 25.01.2007 国際出願日: 22.07.2005
IPC:
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
出願人: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058634 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKAHASHI, Isao [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAI, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TAKAHASHI, Isao; (JP).
NAKAI, Tetsuya; (JP)
代理人: SHIGA, Masatake; 2-3-1, Yaesu Chuo-ku, Tokyo 104-8453 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SIMOX WAFER AND SIMOX WAFER MANUFACTURED BY SUCH METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UNE GALETTE DE SIMOX ET GALETTE DE SIMOX FABRIQUÉE SELON UN TEL PROCÉDÉ
(JA) SIMOXウェーハの製造方法及びその方法で製造されたSIMOXウェーハ
要約: front page image
(EN)A SIMOX wafer manufacturing method includes a step of implanting oxygen ions into a silicon wafer; a step of cleaning the oxygen ion implanted silicon wafer; and a step of forming an embedded oxide film inside the silicon wafer by performing heat treatment to the cleaned silicon wafer. The method further includes a step of etching a SiO2 film formed on the silicon wafer surface by dipping the silicon wafer in a hydrofluoric acid solution, after the oxygen ions are implanted into the silicon wafer and prior to cleaning the silicon wafer. An etching rate of the hydrofluoric acid solution to the SiO2 film in the etching process is 150-3,000(Å/min).
(FR)Le procédé de fabrication d’une gaufrette de SIMOX selon la présente invention comprend une étape consistant à implanter des ions d'oxygène dans une galette de silicium ; une étape consistant à nettoyer la galette de silicium ayant des ions d'oxygène implantés dans celle-ci ; et une étape consistant à former un film d’oxyde incorporé à l'intérieur de la galette de silicium en faisant subir un traitement thermique à la galette de silicium nettoyée. Le procédé comprend en outre une étape consistant à graver un film de SiO2 formé sur la surface de la galette de silicium en plongeant la galette de silicium dans une solution d’acide fluorhydrique, après que les ions d'oxygène aient été implantés dans la galette de silicium et avant de nettoyer la galette de silicium. Une vitesse de gravure de la solution d’acide fluorhydrique sur le film de SiO2 dans le procédé de gravure est de 150 à 3 000 (Å/min).
(JA) このSIMOXウェーハの製造方法は、シリコンウェーハに酸素イオンを注入する工程と、前記酸素イオンを注入したシリコンウェーハを洗浄する工程と、前記洗浄したシリコンウェーハを熱処理することにより前記シリコンウェーハの内部に埋込み酸化膜を形成する工程とを含み、更に、前記シリコンウェーハに酸素イオンを注入した後であり、かつ前記シリコンウェーハを洗浄する前に、前記シリコンウェーハをフッ酸水溶液に浸漬して前記シリコンウェーハの表面に形成されたSiO膜をエッチング処理する工程を含み、前記エッチング処理時のフッ酸水溶液の前記SiO膜に対するエッチングレートが150~3000(Å/分)であることを特徴とする。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)