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1. (WO2007010600) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/010600    国際出願番号:    PCT/JP2005/013294
国際公開日: 25.01.2007 国際出願日: 20.07.2005
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHIDO, Hideharu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MISHIMA, Yasuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHIDO, Hideharu; (JP).
MISHIMA, Yasuyoshi; (JP)
代理人: KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, Ikebukuro TG Homest Building 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)In the surface of an n-type element active region of a semiconductor substrate (1) having a (100) plane, generally rectangular grooves (4) are formed. The side perpendicular to the direction in which the grooves (4) extend is (110) plane. A gate insulating film (5) and a gate electrode (6) are formed on the surface of the semiconductor substrate (1) by thermal oxidation. The direction in which the gate electrode (6) extends is perpendicular to the direction ([1-10]) in which the grooves (4) extend. That is, the gate width direction is the [110] direction. A side wall insulating film (7) and a p-type source/drain diffusion layer (8) are formed.
(FR)La présente invention concerne la surface d'une région active d'élément de type n d’un substrat semi-conducteur (1) avec un plan (100), sur lequel sont formées des rainures généralement rectangulaires (4). Le côté perpendiculaire à la direction dans laquelle se prolongent les rainures (4) est plane (110). Un film d'isolation de grille (5) et une électrode de grille (6) sont formés sur la surface du substrat semi-conducteur (1) par oxydation thermique. La direction dans laquelle se prolonge l'électrode de grille (6) est perpendiculaire à la direction ([1-10]) dans laquelle s'étendent les rainures (4). En fait, la direction de la largeur de grille est la direction [110]. Un film d'isolement de la paroi latérale (7) et une couche de diffusion source/drain de type p (8) sont formés.
(JA) 表面が(100)面の半導体基板1のn型の素子活性領域の表面に、断面形状が実質的に矩形の複数の溝4を形成する。溝4の自身が延びる方向と直交する側面は、(1 1 0)面とする。続いて、熱酸化等により半導体基板1の表面にゲート絶縁膜5及びゲート電極6を形成する。このとき、ゲート電極6が延びる方向(ゲート幅方向)を、各溝4が延びる方向([1 -1 0]方向)に対して直交する方向とする。即ち、ゲート幅方向を[1 1 0]方向とする。次いで、サイドウォール絶縁膜7及びp型のソース/ドレイン拡散層8を形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)