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1. (WO2007007704) 相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/007704    国際出願番号:    PCT/JP2006/313669
国際公開日: 18.01.2007 国際出願日: 10.07.2006
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), B22F 9/04 (2006.01), C22C 1/04 (2006.01), C22C 28/00 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 5-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NONAKA, Sohei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KINOSHITA, Kei [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NONAKA, Sohei; (JP).
KINOSHITA, Kei; (JP)
優先権情報:
2005-201246 11.07.2005 JP
2006-179153 29.06.2006 JP
発明の名称: (EN) SPUTTERING TARGET FOR THE FORMATION OF PHASE-CHANGE FILMS AND PROCESS FOR THE PRODUCTION OF THE TARGET
(FR) CIBLE DE PULVERISATION DESTINEE A LA FORMATION DE FILMS A CHANGEMENT DE PHASE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE LA CIBLE
(JA) 相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
要約: front page image
(EN)The invention provides a sputtering target for the formation of phase-change films which little generates particles in sputtering and a process for the production of the target. The target of the invention has a composition consisting by atomic percentage of 20.2 to 24.2% Ge, 20.2 to 24.2% Sb, and the balance Te and unavoidable impurities and a texture containing hexagonal Ge2Sb2Te5 crystal phase in a proportion of 90% or above, and the target can be produced by pressure-sintering a raw material alloy powder obtained either by heat-treating an ingot having the above composition and pulverizing the resulting ingot or by pulverizing an ingot having the above composition into an alloy powder, heat-treating the powder, and then grinding the resulting alloy.
(FR)L'invention concerne une cible de pulvérisation destinée à la formation de films à changement de phase produisant peu de particules lors de la pulvérisation et un procédé de production de la cible. Celle-ci comprend une composition renfermant, en pourcentage atomique, entre 20,2 et 24,2 % de Ge, entre 20,2 et 24,2 % de Sb et le reste du Te et des impuretés inévitables et une texture présentant une phase cristalline hexagonale de Ge2Sb2Te5 dans une proportion égale ou supérieure à 90 % et la cible peut être produite par pression-frittage d'une poudre d'alliage métallique de matériau brut obtenue par traitement thermique d'un lingot comprenant la composition susmentionnée et par pulvérisation du lingot obtenu ou par pulvérisation d'un lingot comprenant la composition susmentionnée en une poudre d'alliage, par traitement thermique de la poudre et par broyage de l'alliage obtenu.
(JA) スパッタリング時にパーティクル発生が少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。  原子%でGeを20.2~24.2%、Sbを20.2~24.2%含有し、残部がTeおよび不可避不純物からなる組成を有しかつ六方晶構造のGeSbTe相が質量%で90%以上占めている組織を有するターゲットであって、このターゲットは前記組成を有するインゴットを熱処理したのち粉砕もしくは前記インゴットを粉砕して得られた合金粉末を熱処理したのち解砕した原料合金粉末を加圧焼結することにより得られる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)