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1. (WO2007007680) 成膜方法及び成膜装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2007/007680 国際出願番号: PCT/JP2006/313595
国際公開日: 18.01.2007 国際出願日: 07.07.2006
IPC:
C23C 16/42 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/46 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
出願人: NAKAMURA, Kazuhito[JP/JP]; JP (UsOnly)
YAMASAKI, Hideaki[JP/JP]; JP (UsOnly)
KAWANO, Yumiko[JP/JP]; JP (UsOnly)
TOKYO ELECTRON LIMITED[JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481, JP (AllExceptUS)
発明者: NAKAMURA, Kazuhito; JP
YAMASAKI, Hideaki; JP
KAWANO, Yumiko; JP
代理人: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005, JP
優先権情報:
2005-19928107.07.2005JP
2006-18565505.07.2006JP
発明の名称: (EN) METHOD OF FORMING FILM AND APPARATUS FOR FILM FORMATION
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ET APPAREIL DE FORMATION DE FILM
(JA) 成膜方法及び成膜装置
要約: front page image
(EN) A method of film formation which comprises: a first gas-feeding step in which an organic raw-material gas for a high-melting metal is fed to a treatment vessel capable of evacuation; and a second gas-feeding step in which any one of a nitrogen-containing gas, a silicon-containing gas, and a carbon-containing gas or a gas mixture comprising two or more of these is fed to the treatment vessel. In the method, a thin metal compound film comprising any one or more of the nitrides, silicides, and carbides of the high-melting metal is formed on the surface of a work placed in the treatment vessel. The first gas-feeding step and the second gas-feeding step are alternately conducted. During the first gas-feeding step and the second gas-feeding step, the temperature of the work is kept at a temperature not lower than the decomposition initiation temperature of the organic raw material for a high-melting metal.
(FR) L’invention concerne un procédé de formation de film comprenant : une première phase d’injection de gaz dans laquelle un gaz de matière première organique pour métal à haut point de fusion est injecté dans une cuve de traitement capable d’évacuation ; et une seconde phase d’injection de gaz dans laquelle un gaz quelconque parmi un gaz contenant de l’azote, un gaz contenant du silicium et un gaz contenant du carbone ou bien un mélange de gaz comportant deux ou plus de deux de ceux-ci est injecté dans la cuve de traitement. Selon le procédé, un mince film de composé de métal contenant un ou plusieurs éléments parmi les nitrures, les siliciures et les carbures du métal à haut point de fusion se forme à la surface d’une pièce placée dans la cuve de traitement. La première phase d’injection de gaz et la seconde phase d’injection de gaz se déroulent l'une après l'autre. Pendant la première phase d’injection de gaz et la seconde phase d’injection de gaz, la température de la pièce est maintenue à une température supérieure ou égale à la température de départ de décomposition de la matière première organique pour un métal à haut point de fusion.
(JA)  本発明は、真空引き可能になされた処理容器内に高融点金属有機原料ガスを供給する第1ガス供給工程と、前記処理容器内に窒素含有ガスあるいはシリコン含有ガスあるいは炭素含有ガスのいずれか1つあるいは複数よりなるガスを供給する第2ガス供給工程と、を備え、前記処理容器内に載置された被処理体の表面に、高融点金属の窒化物、珪化物、炭化物のいずれか1つあるいは複数よりなる金属化合物膜の薄膜を形成する成膜方法である。第1ガス供給工程と第2ガス供給工程とは、交互に行われ、第1ガス供給工程中及び第2ガス供給工程中において、前記被処理体の温度が前記高融点金属有機原料の分解開始温度以上の温度に維持される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)