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1. (WO2007007548) トランジスタ及びその動作方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2007/007548    国際出願番号:    PCT/JP2006/312830
国際公開日: 18.01.2007 国際出願日: 27.06.2006
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
UEDA, Daisuke; (米国のみ).
TANAKA, Tsuyoshi; (米国のみ).
UEMOTO, Yasuhiro; (米国のみ).
UEDA, Tetsuzo; (米国のみ).
YANAGIHARA, Manabu; (米国のみ).
HIKITA, Masahiro; (米国のみ).
UENO, Hiroaki; (米国のみ)
発明者: UEDA, Daisuke; .
TANAKA, Tsuyoshi; .
UEMOTO, Yasuhiro; .
UEDA, Tetsuzo; .
YANAGIHARA, Manabu; .
HIKITA, Masahiro; .
UENO, Hiroaki;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg. 5-7, Hommachi 2-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410053 (JP)
優先権情報:
2005-200127 08.07.2005 JP
発明の名称: (EN) TRANSISTOR AND METHOD FOR OPERATING SAME
(FR) TRANSISTOR ET PROCÉDÉ DE FONCTIONNEMENT CORRESPONDANT
(JA) トランジスタ及びその動作方法
要約: front page image
(EN)On a sapphire substrate (101), an AlN buffer layer (102), an undoped GaN layer (103), an undoped AlGaN layer (104), a p-type control layer (105) and a p-type contact layer (106) are successively formed. A transistor is provided with a gate electrode (110) which is brought into ohmic contact with the p-type contact layer (106), and a source electrode (108) and a drain electrode (109) on the undoped AlGaN layer (104). Holes are injected into a channel by applying a positive voltage to the p-type control layer (105), and a current flowing in the channel can be increased.
(FR)Selon la présente invention, sur un substrat en saphir (101), une couche tampon AlN (102), une couche non dopée GaN (103), une couche non dopée AlGaN (104), une couche de commande de type p (105) et une couche de contact de type p (106) sont formées successivement. Un transistor comprend une gâchette (110) qui est mise en contact ohmique avec la couche de contact de type p (106), ainsi qu’une électrode source (108) et une électrode drain (109) sur la couche non dopée AlGaN (104). Des trous sont injectés dans un canal par application d’une tension positive à la couche de commande de type p (105), et un courant circulant dans le canal peut être accru.
(JA) サファイア基板101上にAlNバッファ層102、アンドープGaN層103、アンドープAlGaN層104、p型コントロール層105、p型コンタクト層106がこの順に形成されている。また、トランジスタは、p型コンタクト層106にオーミック接触するゲート電極110と、アンドープAlGaN層104上に設けられたソース電極108およびドレイン電極109とを備えている。p型コントロール層105に正電圧を印加することで、チャネル内に正孔が注入され、チャネルを流れる電流を増加させることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)